【技术实现步骤摘要】
图案制备方法、电子器件和三维存储器
[0001]本公开涉及集成电路的制造领域，尤其涉及一种图案制备方法、电子器件、三维存储器、存储系统和电子设备。
技术介绍
[0002]在集成电路领域中，光刻(Lithography)技术是IC制造的核心环节，其主要作用是将掩膜上的芯片电路图案转移到硅片上。光刻工艺定义了半导体器件的尺寸。目前的半导体器件对特征尺寸(Critical Dimension)的要求越来越小，例如场效应晶体管的沟道长度已经达到深亚微米范围。特征尺寸越小，芯片的集成度越高、性能越好、功耗越低。
技术实现思路
[0003]本公开的实施例提供一种图案制备方法及用该方法制备的电子器件和三维存储器，旨在解决形成图案的方法对制备工艺要求高的问题。
[0004]为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
[0005]第一方面，提供了一种图案制备方法，包括：在目标刻蚀层上形成沿第一方向排列的多个芯模图案。形成覆盖多个芯模图案的第一材料层，并刻蚀第一材料层，以形成沿第一方向分布的多个侧墙，侧墙形...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种图案制备方法，其特征在于，包括：在目标刻蚀层上形成沿第一方向排列的多个芯模图案；形成覆盖所述多个芯模图案的第一材料层，并刻蚀所述第一材料层，以形成沿所述第一方向分布的多个侧墙，所述侧墙形成在所述芯模图案的侧壁上；去除所述多个芯模图案，形成被所述多个侧墙间隔开的多个槽；在所述多个侧墙远离所述目标刻蚀层的一侧设置掩膜图案层，所述掩膜图案层包括至少一个掩膜图案，所述掩膜图案具有镂空部；在对应于所述掩膜图案层和各所述镂空部所占区域以外的区域的槽的位置处，刻蚀所述目标刻蚀层，以形成第一容置槽；在所述槽中与所述镂空部对应的位置处，刻蚀所述目标刻蚀层，以形成第二容置槽；在所述第一容置槽中形成第一图案，在所述第二容置槽中形成第二图案。2.根据权利要求1所述的图案制备方法，其特征在于，所述多个槽包括第二槽；所述第二槽在所述目标刻蚀层上的正投影覆盖所述镂空部在所述目标刻蚀层上的正投影。3.根据权利要求2所述的图案制备方法，其特征在于，所述多个槽还包括第一槽；所述第一槽位于相邻两个侧墙之间，且对应于所述掩膜图案层和各所述镂空部所占区域以外的区域；沿所述第一方向，所述第一槽的宽度小于所述第二槽的宽度。4.根据权利要求1所述的图案制备方法，其特征在于，所述图案制备方法还包括：在所述目标刻蚀层上形成第二材料层；以便，所述多个芯模图案形成在所述第二材料层上；在设置所述掩膜图案层之后，所述图案制备方法还包括：在未被所述掩膜图案层遮挡的槽的位置和所述镂空部未被所述多个侧墙遮挡的位置，刻穿所述第二材料层，以形成硬掩膜图案层；以便，以所述硬掩膜图案层为掩膜刻蚀所述目标刻蚀层，而形成所述第一容置槽和所述第二容置槽。5.根据权利要求4所述的图案制备方法，其特征在于，刻蚀所述第一材料层以形成沿所述第一方向分布的所述多个侧墙时，停止在所述第二材料层上。6.根据权利要求4所述的图案制备方法，其特征在于，所述第二材料层的材料为多晶硅。7.根据权利要求4所述的图案制备方法，其特征在于，所述图案制备方法还包括：形成牺牲层，所述牺牲层至少填充在所述多个槽中；以便，所述掩膜图案层形成在所述牺牲层上；去除所述牺牲层中未被所述掩膜图案层遮挡的部分，得到牺牲保留图案层；以便，以所述牺牲保留图案层以及所述多个侧墙为掩膜刻蚀所述第二材料层，以形成硬掩膜图案层。8.根据权利要求7所述的图案制备方法，其特征在于，在形成所述硬掩膜图案层之后，在刻蚀所述目标刻蚀层之前，所述图案制备方法还包括：去除所述牺牲保留图案层以及所述多个侧墙。9.根据权利要求1所述的图案制备方法，其特征在于，
所述目标刻蚀层包括多个叠置的介质层。10.根据权利要求1所述的图案制备方法，其特征在于，在形成所述多个槽之后，所述半导体图案的制备方法还包括：在所述多个侧墙远离所述目标刻蚀层的一侧形成第一抗反射材料层，以便所述掩膜图案层设置在所述第一抗反射材料层上；以所述掩膜图案层为掩膜，刻蚀所述第一抗反射材料层，而形成第一抗反射图案层。11.根据权利要求1～10中任一项所述的图案制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘雅琴，刘威，陈亮，王言虹，黄磊，向政，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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