一种TOPCon电池制备过程的去绕镀方法技术

本发明专利技术公开了一种TOPCon电池制备过程的去绕镀方法，包括：在N型硅基片的一侧表面上进行硼掺杂，形成P型掺杂区和硼硅玻璃层；去除所述硼掺杂过程中形成的绕镀硼硅玻璃；在所述N型硅基片的另一侧表面上沉积形成多晶硅层，并使在所述多晶硅层的沉积过程中形成的绕镀多晶硅覆盖所述硼硅玻璃层的至少部分；对所述多晶硅层进行磷掺杂，形成磷硅玻璃层；去除所述磷掺杂过程中形成的绕镀磷硅玻璃；去除所述绕镀多晶硅。本发明专利技术解决了去除绕镀多晶硅的过程中存在非绕镀区域的掺杂区域在清洗绕镀多晶硅的过程中被损伤的问题。硅的过程中被损伤的问题。硅的过程中被损伤的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种TOPCon电池制备过程的去绕镀方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种TOPCon电池制备过程的去绕镀方法。

技术介绍

[0002]TOPCon电池是一种使用隧穿氧化层+掺杂多晶硅进行背表面钝化的电池，此方法可实现优异的表面钝化效果，使电池效率大幅提升。但由于绕镀多晶硅的去除难度较大，存在绕镀多晶硅清洗不干净或者非绕镀区域的掺杂区域在清洗绕镀多晶硅的过程中被损伤的风险。

技术实现思路

[0003]鉴于现有技术存在的不足，本专利技术提供了一种TOPCon电池制备过程的去绕镀方法，包括：
[0004]在N型硅基片的一侧表面上进行硼掺杂，形成P型掺杂区和硼硅玻璃层；
[0005]去除所述硼掺杂过程中形成的绕镀硼硅玻璃；
[0006]在所述N型硅基片的另一侧表面上沉积形成多晶硅层，并使在所述多晶硅层的沉积过程中形成的绕镀多晶硅覆盖所述硼硅玻璃层的至少部分；
[0007]对所述多晶硅层进行磷掺杂，形成磷硅玻璃层；
[0008]去除所述磷掺杂过程中形成的绕镀磷硅玻璃；
[0009]去除所述绕镀多晶硅。
[0010]优选地，所述硼硅玻璃层的生长厚度为大于90nm。
[0011]优选地，所述多晶硅层的生长厚度为90nm～120nm。
[0012]优选地，所述磷硅玻璃层的生长厚度为40nm～50nm。
[0013]优选地，用于去除所述磷掺杂过程中形成的所述绕镀磷硅玻璃的刻蚀剂为质量浓度为1％～1.5％的HF溶液。
[0014]优选地，用于去除所述绕镀多晶硅的刻蚀剂为混有反应速率调节剂的NaOH溶液。
[0015]优选地，所述硼掺杂的通氧量为7000sccm～10000sccm，沉积温度为960℃～1000℃，压力为700mbar～900mbar，掺杂时长为120min～150min。
[0016]优选地，用于去除所述磷掺杂过程中形成的所述绕镀磷硅玻璃的设备为链式刻蚀机。
[0017]优选地，用于去除所述绕镀多晶硅的设备为槽式刻蚀机。
[0018]优选地，去除所述硼掺杂过程中形成的所述绕镀硼硅玻璃之前包括：在所述硼硅玻璃层上形成水膜；
[0019]去除所述磷掺杂过程中形成的所述绕镀磷硅玻璃之前包括：在所述磷硅玻璃层上形成水膜。
[0020]在本专利技术的TOPCon电池制备过程的去绕镀方法中，沉积形成多晶硅层时，特意将
沉积过程中形成的绕镀多晶硅覆盖所述硼硅玻璃层的至少部分，从而在去除绕镀磷硅玻璃的过程中，使该绕镀多晶硅对硼硅玻璃层起到一定的保护作用，使硼硅玻璃层经过了绕镀磷硅玻璃的刻蚀过程也能够保持足以保护P型掺杂区的厚度，从而不会损伤P型掺杂区。
附图说明
[0021]图1是根据本专利技术的实施例的TOPCon电池制备过程的去绕镀方法的流程图；
[0022]图2a至图2f是根据本专利技术的实施例的TOPCon电池制备过程的去绕镀方法的制程图。
具体实施方式
[0023]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本专利技术的实施方式仅仅是示例性的，并且本专利技术并不限于这些实施方式。
[0024]在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本专利技术，在附图中仅仅示出了与根据本专利技术的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本专利技术关系不大的其他细节。
[0025]本实施例提供了一种TOPCon电池制备过程的去绕镀方法，结合图1和图2a至图2f，该去除方法包括：
[0026]步骤S1、在N型硅基片1的一侧表面上进行硼掺杂，形成P型掺杂区2和硼硅玻璃层3(如图2a)。其中，所述硼掺杂的通氧量为7000sccm～10000sccm，沉积温度为960℃～1000℃，压力为700mbar～900mbar，掺杂时长为120min～150min。
[0027]步骤S2、去除所述硼掺杂过程中形成的绕镀硼硅玻璃3a(如图2b)。其中，去除所述绕镀硼硅玻璃3a之前，在所述硼硅玻璃层3上形成水膜。
[0028]步骤S3、在所述N型硅基片1的另一侧表面上沉积形成多晶硅层4，并使在所述多晶硅层4的沉积过程中形成的绕镀多晶硅4a覆盖所述硼硅玻璃层的至少部分3(如图2c)。所述多晶硅层4的生长厚度为90nm～120nm。
[0029]步骤S4、对所述多晶硅层4进行磷掺杂，形成磷硅玻璃层5(如图2d)。
[0030]步骤S5、去除所述磷掺杂过程中形成的绕镀磷硅玻璃5a(如图2e)。其中，所述绕镀磷硅玻璃5a之前，在所述磷硅玻璃层5上形成水膜。
[0031]步骤S6、去除所述绕镀多晶硅4a(如图2f)。
[0032]在本实施例的TOPCon电池制备过程的去绕镀方法中，沉积形成多晶硅层时，特意将沉积过程中形成的绕镀多晶硅覆盖所述硼硅玻璃层的至少部分，从而在去除绕镀磷硅玻璃的过程中，使该绕镀多晶硅对硼硅玻璃层起到一定的保护作用，使硼硅玻璃层经过了绕镀磷硅玻璃的刻蚀过程也能够保持足以保护P型掺杂区的厚度，从而不会损伤P型掺杂区。而且由于绕镀多晶硅和硼硅玻璃层的双重保护，可以适当增加绕镀磷硅玻璃的刻除时间，以确保绕镀磷硅玻璃的完全刻除，从而保障后续绕镀多晶硅的完全去除。
[0033]优选地，为了提高所述硼硅玻璃层3对所述P型掺杂区2的保护作用，所述硼硅玻璃层3的生长厚度为大于90nm。为了提高所述磷硅玻璃层5对N型掺杂区的保护作用，所述磷硅玻璃层5的生长厚度为40nm～50nm。
[0034]具体地，为了提高所述绕镀多晶硅4a对所述硼硅玻璃层3的保护作用，在本实施例中所述绕镀多晶硅4a可覆盖整个所述硼硅玻璃层3。
[0035]更具体地，用于去除所述磷掺杂过程中形成的所述绕镀磷硅玻璃5a的刻蚀剂为质量浓度为1％～1.5％的HF溶液。用于去除所述绕镀多晶硅4a的刻蚀剂为混有反应速率调节剂的NaOH溶液。用于去除所述磷掺杂过程中形成的所述绕镀磷硅玻璃5a的设备为链式刻蚀机。用于去除所述绕镀多晶硅4a的设备为槽式刻蚀机。
[0036]尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TOPCon电池制备过程的去绕镀方法，其特征在于，包括：在N型硅基片的一侧表面上进行硼掺杂，形成P型掺杂区和硼硅玻璃层；去除所述硼掺杂过程中形成的绕镀硼硅玻璃；在所述N型硅基片的另一侧表面上沉积形成多晶硅层，并使在所述多晶硅层的沉积过程中形成的绕镀多晶硅覆盖所述硼硅玻璃层的至少部分；对所述多晶硅层进行磷掺杂，形成磷硅玻璃层；去除所述磷掺杂过程中形成的绕镀磷硅玻璃；去除所述绕镀多晶硅。2.根据权利要求1所述的去绕镀方法，其特征在于，所述硼硅玻璃层的生长厚度为大于90nm。3.根据权利要求2所述的去绕镀方法，其特征在于，所述多晶硅层的生长厚度为90nm～120nm。4.根据权利要求3所述的去绕镀方法，其特征在于，所述磷硅玻璃层的生长厚度为40nm～50nm。5.根据权利要求4所述的去绕镀方法，其特征在于，用于去除所述磷掺杂过程中形成的所述绕镀磷硅玻璃的刻蚀剂为质量浓度为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾永军，代同光，李栓，王举亮，汪梁，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司青海黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：