一种用于干法去胶后清除残胶的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于干法去胶后清除残胶的方法，采用在晶圆与热台不接触结合接触(Pin Up结合Pin down模式)的方式，优化了工艺过程，开始时向刻蚀腔体内通入水和氧气不加上射频来起到软化胶的作用，之后向刻蚀腔体内通入水同时启动微波源，射频功率会影响胶的软化效果，最后关闭微波源，继续向刻蚀腔体内通入水、氧气和氮气，重复操作，即可完成去胶。本发明专利技术能够在大规模集成电路工业制造环境下应用，是通过改变干法去胶过程中晶圆与热台的接触在微波源射频功率作用下去胶，以及晶圆与热台不接触模式无射频功率软化胶，和制造过程中的优化方法。实验结果显示，晶圆表面残胶被完全去除干净，效果相当明显。效果相当明显。效果相当明显。

【技术实现步骤摘要】
一种用于干法去胶后清除残胶的方法


[0001]本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种用于干法去胶后清除残胶的方法。

技术介绍

[0002]光刻胶的去除在IC制造工艺流程中占非常重要的地位，其成本约占IC制造工艺的20％～30％，光刻胶去胶效果太弱，均匀性太差影响生产效率，进而影响整个产品的成品率。传统主流去胶方法采用湿法去胶，成本低效率高，但随着技术不断迭代更新，越来越多IC制造商开始采用干法式去胶，干法式去胶工艺不同于传统的湿法式去胶工艺，它不需要浸泡化学溶剂，也不用烘干，去胶过程更容易控制，避免过多算上基底，提高产品成品率。干法式去胶又被称为等离子去胶，其原理同等离子清洗类似，主要通过氧原子核和光刻胶在等离子体环境中发生反应来去除光刻胶，由于光刻胶的基本成分是碳氢有机物，在射频或微波作用下，氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳、二氧化碳和水等，再通过泵被真空抽走，完成光刻胶的去除。
[0003]在IC制造过程中，去胶效率的好坏是判断去胶质量的主要因素。温度、氧气、射频频率、射频功率、真空度是影响去胶效果的主要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于干法去胶后清除残胶的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)将晶圆放置于刻蚀腔体内；步骤2)顶针自热台内升出并顶起所述晶圆，以使所述热台和所述晶圆在上下方向上间隔开；步骤3)先后向所述刻蚀腔体内通入氧气和水，以对光刻胶的表层部分进行软化；步骤4)所述顶针自所述晶圆底部下降至所述热台内，以使所述晶圆抵接在所述热台上，向所述刻蚀腔体内通入水并同时启动微波源；步骤5)反应结束后，关闭所述微波源，继续向所述刻蚀腔体内通入水，并同时通入氧气和氮气，进行去胶操作。2.根据权利要求1所述的一种用于干法去胶后清除残胶的方法，其特征在于，还包括：步骤6)重复2～3次所述步骤4)至所述步骤5)的工艺，完成去胶操作。3.根据权利要求1所述的一种用于干法去胶后清除残胶的方法，其特征在于，步骤3)所述刻蚀腔体的反应压力为2～2.5torr。4.根据权利要求3所述的一种用于干法去胶后清除残胶的方法，其特征在于，通入氧气的流量为3500～4000sccm，通入氧气的时间...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶联，彭泰彦，车东晨，陈兆超，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：