氧化钒薄膜的刻蚀方法以及半导体器件的镀膜方法技术

提供一种氧化钒薄膜的刻蚀方法以及半导体器件的镀膜方法。氧化钒薄膜的刻蚀方法包括：提供包括衬底及氮化硅的基底模块，氮化硅设在衬底上；设掩膜；图形化设光刻胶；采用电感耦合等离子刻蚀利用C/F基气体和Ar气体刻蚀露出的掩膜，以形成浅槽，浅槽底面为氧化钒薄膜的顶面，浅槽侧面为斜面；采用电感耦合等离子刻蚀利用Cl基气体和Ar气体去除暴露的氧化钒薄膜、使浅槽的侧面被刻蚀而更倒地倾斜、直到刻蚀进入氮化硅，以形成刻蚀槽，刻蚀槽底壁由氮化硅构成，刻蚀槽侧壁由氧化钒和氮化硅构成，刻蚀槽的侧壁与经过再刻蚀的侧面连续共面，底壁与侧壁的夹角为65

【技术实现步骤摘要】
氧化钒薄膜的刻蚀方法以及半导体器件的镀膜方法


[0001]本公开涉及半导体领域，更具体地涉及一种氧化钒薄膜的刻蚀方法以及半导体器件的镀膜方法。

技术介绍

[0002]图1是已知的器件模块100'的示意图。器件模块100'包括基底模块1'。基底模块1'从下往上依次包括衬底11'、二氧化硅层14'、氮化硅12'以及氧化钒薄膜13'。器件模块100'的顶部通过刻蚀形成有刻蚀槽5'。刻蚀槽5'的底壁51由氮化硅12'构成，刻蚀槽5'的侧壁52'由氧化钒构成，刻蚀槽5'的底壁51'和侧壁52'之间的夹角θ'为90
°
左右。
[0003]基于这种器件模块100'的后期使用，需要在刻蚀槽5'中设置各种合适的材料。针对这种底壁51'和侧壁52'的夹角θ'为90
°
左右的情况，设置所需材料在刻蚀槽5'内采用图2所示的填充方式是有利的，但对于镀膜方式(即沉积镀膜方式)的效果较差。
[0004]采用镀膜方式时，镀膜会沿底壁51'和侧壁52'进行。对于刻蚀槽5'比较浅的情况，如图3所示，所镀的膜200'在底壁51'上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化钒薄膜的刻蚀方法，其特征在于，包括：步骤一，提供基底模块(1)，基底模块(1)包括衬底(11)以及氮化硅(12)，氮化硅(12)设置在衬底(11)上，氧化钒薄膜(13)直接全部覆盖在氮化硅(12)上；步骤二，设置非金属氮化物的掩膜(2)，以使掩膜(2)覆盖整个氧化钒薄膜(13)；步骤三，图形化设置光刻胶(3)，以使光刻胶(3)露出部分的掩膜(2)；步骤四，第一刻蚀，采用电感耦合等离子(ICP)刻蚀利用C/F基气体和Ar气体刻蚀图案化的光刻胶(3)露出的掩膜(2)，以形成浅槽(4)，浅槽(4)的顶部开口，浅槽(4)的底面为氧化钒薄膜(13)的顶面，浅槽(4)的侧面(41)为斜面；步骤五，第二刻蚀，采用电感耦合等离子刻蚀利用Cl基气体和Ar气体去除暴露在浅槽(4)内的氧化钒薄膜(13)、同时第二刻蚀使浅槽(4)的侧面(41)被刻蚀而更倒地倾斜、直到刻蚀深度进入与氧化钒薄膜(13)相邻的氮化硅(12)的表面下方，以形成刻蚀槽(5)，刻蚀槽(5)的底壁(51)由氮化硅(12)构成，刻蚀槽(5)的侧壁(52)由氧化钒和氧化钒下方的氮化硅(12)构成，刻蚀槽(5)的侧壁(52)与浅槽(4)的经过第二刻蚀的侧面(41)连续共面，刻蚀槽(5)的底壁(51)与刻蚀槽(5)的侧壁(52)的夹角(θ)为65
°
以下；步骤六，将光刻胶(3)去除，以形成器件模块(100)。2.根据权利要求1所述的氧化钒薄膜的刻蚀方法，其特征在于，在步骤一中，基底模块(1)还包括二氧化硅层(14)，二氧化硅层(14)沿基底模块(1)的堆叠方向直接位于衬底(11)和氮化硅(12)之间。3.根据权利要求1所述的氧化钒薄膜的刻蚀方法，其特征在于，在步骤一中，氧化钒薄膜(13)的厚度为在步骤二中，掩膜(2)的厚度为非金属氮化物为氮化硅。4.根据权利要求1所述的氧化钒薄膜的刻蚀方法，其特征在于，在步骤四中，电感耦合等离子刻蚀采用射频源；射频源的上电极的功率为800
‑
1200W，射频源的下电极的功率为120
‑
200W；C/F基气体为CF4和CHF3；CF4的流量为50
‑
90sccm，CHF3的流量为40
‑
60sccm，Ar气体的流量为40
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱景春，李海涛，高玉波，李传峰，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：