本发明提出了一种红外模组电解槽极板故障智能巡检方法、装置及系统，该方法通过实时获取待检测电解槽的当前图像，经校正处理后得到待处理图像；提取待处理图像的有效区域，经预处理后得到二值图像；解析出待检测电解槽的板块信息后结合二值图像以识别出待...

本发明属于红外系统技术领域，公开了一种基于国产FPGA的红外系统。所述系统包括红外探测器、红外探测器驱动模块、FPGA平台；基于FPGA平台设置通道1读写数据处理模块、通道2读写数据处理模块、hyperram多通道读写仲裁模块。本发明设...

本申请公开了一种晶片转移用的镊子，涉及晶片转移工具技术领域，包括镊子本体；镊子本体的两个夹持端上分别设有供晶片的侧边伸入的夹持限位槽；夹持限位槽内至少设有可与晶片的侧边接触的下限位面以及侧限位面。利用夹持限位槽中的下限位面与侧限位面来对...

本申请涉及液相外延技术领域，具体公开了一种基于垂直液相外延的工装，包括：工装主体；所述工装主体顶部设置有：导流部；所述导流部中部设置有供石墨棒装入的安装孔，且所述安装孔的外周为弧形。在液相外延过程中，沿石墨棒流至工装主体上的母液可以通过...

本申请涉及液相外延技术领域，具体公开了一种用于固定高纯石墨样品架的工装，包括：支撑组件与软性保护组件；所述支撑组件包括：底座与多个限位块；多个所述限位块沿第一方向间隔设置于所述底座上，且所述限位块上设置有供高纯石墨样品架卡入的卡槽；所述...

本申请涉及半导体生产辅助工具技术领域，具体公开了一种用于放置石英管的装置，包括：底板、支撑板与多个挂块；所述支撑板与所述底板组成可折叠结构；所述支撑板上贯穿设置有多个卡孔；在所述可折叠结构伸展状态下，所述挂块可拆卸卡接于所述卡孔上，且所...

本申请涉及半导体外延工艺技术领域，具体公开了一种用于多套外延石墨件除气的辅助工装，包括：悬挂件与多个石墨连接件；所述悬挂件上设置有多个台阶孔；所述石墨连接件的顶端沿水平方向往外周延伸形成凸起；所述石墨连接件的底端设置有供石墨件装入的槽孔...

本发明涉及氟化锂制备领域，具体是一种氟化锂的制备方法。本发明将特定浓度的氢氧化锂溶液和氟化铵溶液在特定的反应温度下进行反应，与现有技术相比，首先，能够以较低浓度和纯度的原料制备得到纯度达到99.99％级别的氟化锂，收率高；然后，能够对反...

本发明提出了一种红外模组运动自适应降噪方法、装置及设备，该方法通过实时获取待降噪图像中当前帧图像像素点与预先存储的上一帧图像像素点，经第一预处理后生成第一结果；对所述第一结果经基于权重的第二预处理后生成第二结果。在本发明中第一预处理过程...

本发明涉及材料制备领域，具体是一种低粘稠度低水分氧化硼及其制备方法和应用。本发明提供的氧化硼的制备方法需要加入铝氟酸钠，在氧化硼的制备过程中加入一定量的铝氟酸钠，不仅能够减少杂质的引入，而且能有效降低所制得氧化硼的粘稠度，使其具有低的粘...

本申请涉及红外探测器技术领域，具体公开了一种倒锥形冷屏，包括：多个挡光层；所述挡光层为倒锥形；多个所述挡光层沿竖直方向依次叠合；相接的两个所述挡光层中，位于下方的所述挡光层的顶部较位于上方的所述挡光层的底部凸出，形成凸台部。本方案多个挡...

本申请公开了一种旋转整体式斯特林制冷机寿命测试方法与系统，其中方法包括以下步骤：S1、将多个制冷机分成至少三组测试组后，将各个制冷机均放入温箱内；S2、在设定的初始转速和设定的温箱温度下，启动各个制冷机；S3、实时测量各个制冷机运行过程...

一种用于高纯锗区熔的石英舟镀膜方法包括步骤：S1，石英舟的内壁涂覆硅溶胶；S2，将内壁涂覆硅溶胶的石英舟放在750‑850℃烤炉中烘烤5‑10h；S3，烘烤后，在1‑4％HF中浸泡10‑24h；S4，浸泡完成后，用纯水冲洗干净；S5，在...

本发明涉及晶体制备领域，具体是一种锑化铟晶锭腐蚀液和锑化铟晶锭的腐蚀方法。本发明提供的锑化铟晶锭腐蚀液，其包括HF、HNO3和H2O；所述HF的质量浓度为45～50wt％；所述HNO3的质量浓度为65～75wt％；所述HF、HNO3和H...

本发明属于冶金技术领域，公开了一种锗的回收方法。包括以下步骤：将锗料进行碱腐蚀；将碱腐蚀后的锗料进行第一次区域熔炼，得锗锭，选取电阻率＞10Ω•cm的锗段；采用氢氟酸溶液和硝酸溶液的混合酸溶液对选取的电阻率＞10Ω•cm的锗段进行酸腐蚀...

一种碲掺杂锑化铟圆片的退火方法包括步骤：S1，将碲掺杂锑化铟圆片定位在退火炉内，正反表面处于第一方向，法线处于第二方向，第一方向和第二方向垂直，碲掺杂锑化铟圆片的高载流子浓度区域和低载流子浓度区域在第一方向上分别分布在碲掺杂锑化铟圆片的...

提供一种碲锌镉晶体的生长方法，采用垂直温度梯度法；加热机构围绕竖直放置的坩埚布置，从下往上包括第一加热器、第二加热器、第三加热器、第四加热器、第五加热器；第二加热器、第三加热器和第四加热器各配置成：作为负载电阻用于连接于相位差在30‑9...

本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种改善关键尺寸均匀性的曝光方法。本方法通过对曝光步进、曝光矩阵、矩阵偏移量、有效曝光面积、粗对位坐标、精对位坐标等曝光参数的设置，可实现采用具有多个曝光图形的掩膜版一次曝光一个图形，从而提高产品关键...

本发明属于红外光学技术领域，公开了一种长波红外显微镜头。所述镜头设有四块透镜，分别为在物面和像面之间依次同轴设置的第一透镜、第二透镜、第三透镜、第四透镜；所述第一透镜、第三透镜、第四透镜为物侧面为凹面的弯月透镜，所述第二透镜为物侧面为凸...

本申请公开了一种镀膜白点改善方法，涉及镀膜技术领域，应用于镀膜设备，镀膜设备包括真空腔室、设置于真空腔室中且用于带动待镀膜样品运动的装载架以及用于对真空腔室中的待镀膜样品进行镀膜的磁过滤阴极真空电弧源。在阴极过滤管道中增加固定挡板，利用...