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提供一种氧化钒薄膜的刻蚀方法以及半导体器件的镀膜方法。氧化钒薄膜的刻蚀方法包括：提供包括衬底及氮化硅的基底模块，氮化硅设在衬底上；设掩膜；图形化设光刻胶；采用电感耦合等离子刻蚀利用C/F基气体和Ar气体刻蚀露出的掩膜，以形成浅槽，浅槽底面为...
该专利属于安徽光智科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽光智科技有限公司授权不得商用。

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