一种硅晶圆表面氧化层的清洁处理工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种硅晶圆表面氧化层的清洁处理工艺，包括步骤：a)将待处理硅晶圆置于等离子处理腔室内的基座上；b)向等离子处理腔室通入含氟等离子体，其与待处理硅晶圆的表面发生作用；c)停止通入含氟等离子体，抽真空；d)向等离子处理腔室通入含氮氢等离子体，其与作用后的待处理硅晶圆的表面发生反应，形成易挥发的氨基络合物；e)停止通入含氮氢等离子体，抽真空；进行N次步骤b)

【技术实现步骤摘要】
一种硅晶圆表面氧化层的清洁处理工艺


[0001]本专利技术涉及半导体器件薄膜沉积工艺领域，具体涉及一种硅晶圆表面氧化层的清洁处理工艺。

技术介绍

[0002]随着各种半导体器件性能需求的不断增加，传统的单晶硅晶圆片已难以满足。目前常用的解决方案是在单晶硅晶圆片上外延生长各类新单晶层，提高器件的性能。由于硅晶圆表面易形成一层自然氧化层(SiO2)，需要对其进行清洁处理便于后续外延生长高质量新单晶层。
[0003]传统硅晶圆氧化层清洁处理主要是通过低温下吸附气体反应形成副产物，然后升温进行退火步骤，以升华去除副产物。然而，退火步骤需要加热器将温度升高，需要耗费时间，效率较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是解决晶圆氧化层清洁处理的效率问题，清洁处理工艺中无需退火步骤。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种硅晶圆表面氧化层的清洁处理工艺，包括以下步骤：
[0006]a)将待处理硅晶圆置于等离子处理腔室内的基座上；
[0007]b)向所述等离子处理腔室通入含氟等离子体，其与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅晶圆表面氧化层的清洁处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：a)将待处理硅晶圆置于等离子处理腔室内的基座上；b)向所述等离子处理腔室通入含氟等离子体，其与所述待处理硅晶圆的表面发生作用；c)停止通入含氟等离子体，抽真空；d)向所述等离子处理腔室通入含氮氢等离子体，其与所述作用后的待处理硅晶圆的表面发生反应，形成易挥发的氨基络合物；e)停止通入含氮氢等离子体，抽真空；进行N次步骤b)
→
e)的循环处理，N≥1；其中，步骤b)
→
e)中，基座温度保持为70℃
‑
200℃。2.如权利要求1所述的硅晶圆表面氧化层的清洁处理工艺，其特征在于，在步骤a)之前和/或N次循环处理后，还对等离子处理腔室中的至少一处进行吹扫工艺。3.如权利要求2所述的硅晶圆表面氧化层的清洁处理工艺，其特征在于，所述等离子处理腔室中的至少一处为基座、等离子处理腔室壁。4.如权利要求2所述的硅晶圆表面氧化层的清洁处理工艺，其特征在于，吹扫工艺中，吹扫气体为惰性或还原性气体，选择Ar、He、Xe、H2和N2中的至少一种。5.如权利要求2所述的硅晶圆表面氧化层的清洁处理工艺，其特征在于，吹扫工艺中，所述等离子处理腔室内的压力为1Torr
‑
10Torr。6.如权利要求2所述的硅晶圆表面氧化层的清洁处理工艺，其特征在于，吹扫工艺中，吹扫时间为5s
‑
50s。7.如权利要求1所述的硅晶圆表面氧化层的清洁处理工艺，其特征在于，所述基座温度保持为80℃
‑
110℃；且步骤d)中，压力为0.01Torr
‑
10Torr。8.如权利要求7所述的硅晶圆表面氧化层的清洁处理工艺，其特征在于，所述基座温度保持为85℃
‑
98℃；且步骤d)中，压力为0.1...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶斌，许晓坤，
申请(专利权)人：江苏天芯微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：