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本发明公开了一种硅晶圆表面氧化层的清洁处理工艺，包括步骤：a)将待处理硅晶圆置于等离子处理腔室内的基座上；b)向等离子处理腔室通入含氟等离子体，其与待处理硅晶圆的表面发生作用；c)停止通入含氟等离子体，抽真空；d)向等离子处理腔室通入含氮氢...
该专利属于江苏天芯微半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏天芯微半导体设备有限公司授权不得商用。

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