【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体器件领域，具体涉及一种半导体器件的形成方法。
技术介绍
[0002]NAND闪存是一种存储设备。目前，平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限，为了进一步的提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D结构的3D NAND存储器。
[0003]现有3D NAND存储器的形成过程一般包括：在衬底上交替沉积氮化硅和氧化硅，形成堆叠层，在堆叠层中刻蚀出通孔，在通孔内填充氮化硅、多晶硅和氧化硅，最后将氮化硅置换为金属。
[0004]根据电路连接的要求，需要刻蚀位于通孔内的氧化硅或位于通孔外围堆叠层表面的氧化硅，而不能对通孔内的氮化硅和多晶硅造成伤害。传统平面结构的NAND由氧化硅、氮化硅和多晶硅沿水平方向堆叠形成，通入大分子C4F6容易实现氧化硅的刻蚀。但3D NAND存储器的氮化硅和多晶硅沿垂直方向排列，直接通入碳氟气体刻蚀氧化硅，会使氮化硅和多晶硅大面积暴露于刻蚀气体中，受到较强的离子轰击，导致器件受损，影响其电学性能。湿法刻蚀能够实现氧化硅对氮化硅和多晶...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底的表面包括氧化层和设于所述氧化层周围的非氧化层；轰击：利用一轰击离子对所述氧化层的表面进行轰击，在其表面形成Si
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O悬键；沉积：通入刻蚀气体，所述刻蚀气体在所述氧化层的表面与Si
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O悬键形成结合层，在非氧化层的表面形成碳氟聚合物层；清除：通入轰击气体，利用所述轰击气体提供的能量，使结合层中的Si
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O悬键与刻蚀气体的前驱物发生反应形成可挥发气体。2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底包括：堆叠层、位于堆叠层表面的介质层以及贯穿所述堆叠层和介质层的通孔，所述通孔内由中心向外依次排列有氧化硅层、多晶硅层、氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层；所述介质层的材料为氧化硅。3.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度与通孔的深度相等；所述氧化硅层和介质层的表面形成所述Si
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O悬键。4.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度小于通孔的深度，在所述氧化硅层的上方形成凹槽，所述凹槽内形成多晶硅层；所述介质层为所述氧化层。5.如权利要求3或4所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述Si
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O悬键的形成方法包括：向所述基底的表面通入轰击气体，所述轰击气体在射频功率的作用下形成轰击正离子，所述轰击正离子对氧化层的表面进行轰击，形成所述Si
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O悬键。6.如权利要求5所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述轰击气体为惰性气体。7.如权利要求6所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述惰性气体为Ar、Kr或Xe中的一种或几种。8.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，通入刻蚀气体之后，还包含将所述刻蚀气体分解为前驱物的步骤，所述前驱物在所述氧化层和非氧化层的表面形成所述碳氟聚合物，且所述氧化层上...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄振华，赵兵，代迷迷，刘健钢，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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