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本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底的表面包括氧化层和设于所述氧化层周围的非氧化层；轰击：利用一轰击离子对所述氧化层的表面进行轰击，在其表面形成Si
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该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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