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本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，在存储区的基底上形成多个第一掩膜图案，在外围区的基底上形成多个第二掩膜图案，并在第一掩膜图案的侧壁和第二掩膜图案的侧壁形成侧墙，在第一掩膜图案的顶面以及第二掩膜图案的顶面形成填充层，填充层还填满相邻...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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