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本发明描述的各种实施方案涉及用于蚀刻半导体衬底以从衬底表面去除目标材料的方法和装置。总体上，本发明描述的技术是不依赖于等离子体使用的热技术。在许多实施方案中，向反应室提供特定的气体混合物以与目标材料反应。气体混合物可包括卤素源如氟化氢(HF...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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