刻蚀方法和半导体结构技术

本申请涉及刻蚀方法和半导体结构。该刻蚀方法包括获取刻蚀副产物形成的位置，于基层上形成待刻蚀层和牺牲层，牺牲层形成于上述位置下方，于待刻蚀层上形成刻蚀掩膜层，在刻蚀掩膜层的阻挡下刻蚀待刻蚀层，去除刻蚀掩膜层和牺牲层。该刻蚀方法由于在刻蚀副产物形成的位置下方形成牺牲层，使刻蚀副产物与牺牲层直接接触，在去除牺牲层后，由于刻蚀副产物失去了粘附材料，从而使得刻蚀副产物在去除牺牲层后被彻底移除。被彻底移除。被彻底移除。

【技术实现步骤摘要】
刻蚀方法和半导体结构


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种刻蚀方法和半导体结构。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，各种新材料及新型刻蚀气体被不断引入与应用，由此产生了前所未有的，特异的刻蚀副产物(polymer)；这些刻蚀副产物在刻蚀之后吸附于材料表面，难以去除，对后续的生产工艺以及产品良率产生极大不良影响。
[0003]传统去除各种刻蚀副产物一般采用湿法工艺，即化学的方法，而化学方法最大的特点是专一性与选择性，一种化学试剂只能去除与之对应的一种或几种刻蚀副产物。研究发现对刻蚀过程中产生的刻蚀副产物进行多次湿法工艺处理，仍有刻蚀副产物残留，导致器件功能失效，芯片良率降低。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够彻底移除刻蚀副产物的刻蚀方法和半导体结构。
[0005]第一方面，提供了一种刻蚀方法，包括：
[0006]获取刻蚀副产物形成的位置；
[0007]于基层上形成待刻蚀层和牺牲层，其中牺牲层形成于该位置下方，从而使后续形成的该刻蚀副本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：获取刻蚀副产物形成的位置；于基层上形成待刻蚀层和牺牲层，其中牺牲层形成于所述位置下方，从而使后续形成的所述刻蚀副产物在所述牺牲层上与牺牲层直接接触；于所述待刻蚀层上形成刻蚀掩膜层；在所述刻蚀掩膜层的阻挡下刻蚀所述待刻蚀层，所述刻蚀副产物为刻蚀所述待刻蚀层形成的副产物；去除所述刻蚀掩膜层和牺牲层。2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述去除所述刻蚀掩膜层和牺牲层的步骤包括：采用湿法工艺去除所述牺牲层。3.根据权利要求1或2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述待刻蚀层为等离子体增强氧化硅层，所述牺牲层为SiN层或SiON层。4.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述去除所述牺牲层的步骤包括：利用热磷酸去除所述牺牲层。5.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：于基层上形成待刻蚀层；于所述待刻蚀层上形成牺牲层；于所述牺牲层上形成刻蚀掩膜层；在所述刻蚀掩膜层的阻挡下刻蚀所述牺牲层和待刻蚀层，所述牺牲层用于承载所述待刻蚀层刻蚀形成的副产物；去除所述刻蚀掩膜层和牺牲层。6.根据权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，所述待刻蚀层为HfO2层，所述刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：马凤麟，李玉岱，金兴成，杨晓芳，
申请(专利权)人：无锡华润微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：