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本申请涉及刻蚀方法和半导体结构。该刻蚀方法包括获取刻蚀副产物形成的位置，于基层上形成待刻蚀层和牺牲层，牺牲层形成于上述位置下方，于待刻蚀层上形成刻蚀掩膜层，在刻蚀掩膜层的阻挡下刻蚀待刻蚀层，去除刻蚀掩膜层和牺牲层。该刻蚀方法由于在刻蚀副产物...
该专利属于无锡华润微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润微电子有限公司授权不得商用。

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