非光敏胶图形化加工工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种非光敏胶图形化加工工艺，其工艺步骤为：S1、取出基板，在基板上涂覆一层非光敏胶达到设定的目标厚度；S2、在非光敏胶上层再涂覆一层光敏胶；S3、在光敏胶上覆盖上掩膜版，掩膜版为部分镂空设计，镂空的部分为图形化加工的产品图案；S4、再使用光刻显影；S5、取下掩膜版，通过干法刻蚀的方式，将裸露出来的底层非光敏胶刻蚀干净，并保证上层光敏胶保护区域的非光敏胶不被刻蚀到；S6、通过去胶液将非光敏胶上层残留的光敏胶去除，而不破坏下层的非光敏胶，最终得到图形化的非光敏胶。本发明专利技术工艺实现了非光敏胶的图形化加工，且图形尺寸精度远高于印刷工艺。且图形尺寸精度远高于印刷工艺。且图形尺寸精度远高于印刷工艺。

【技术实现步骤摘要】
非光敏胶图形化加工工艺


[0001]本专利技术涉及半导体干法刻蚀工艺领域，尤其涉及一种非光敏胶图形化加工工艺。

技术介绍

[0002]目前半导体行业在快速发展，市场对于半导体器件的需求也越来越大，半导体的形式也越来越多样化。其中一部分部件就涉及到在硅基板上涂覆有机胶后进行图形化加工的半导体器件。由于在半导体器件上涂覆的有机胶为非光敏胶导致图形化加工无法直接用光刻显影的方式做出，且使用印刷的方式无法达到图形尺寸精度。
[0003]因此，如何实现了非光敏胶的高精度图形化加工是现有需要解决的重要研究方向。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本专利技术设计了一种非光敏胶图形化加工工艺。
[0005]本专利技术采用如下技术方案：一种非光敏胶图形化加工工艺，其工艺步骤为：S1、取出基板，在基板上涂覆一层非光敏胶达到设定的目标厚度；S2、在非光敏胶上层再涂覆一层光敏胶；S3、在光敏胶上覆盖上掩膜版，掩膜版为部分镂空设计，镂空的部分为图形化加工的产品图案；S4、再使用光刻机曝光的方式将上层光敏胶进行图形化加工，曝光后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非光敏胶图形化加工工艺，其特征是，其工艺步骤为：S1、取出基板，在基板上涂覆一层非光敏胶达到设定的目标厚度；S2、在非光敏胶上层再涂覆一层光敏胶；S3、在光敏胶上覆盖上掩膜版，掩膜版为部分镂空设计，镂空的部分为图形化加工的产品图案；S4、再使用光刻机曝光的方式将上层光敏胶进行图形化加工，曝光后被光照的区域光敏胶发生质变，再在光敏胶表面倒上显影液通过低速旋涂的方式使显影液流过光敏胶表面，变质的光敏胶会与显影液反应并溶解在显影液中被带走；S5、取下掩膜版，通过干法刻蚀的方式，将气体通入腔体进行电离，电离后的离子在上下电场的作用下加速向下...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈银培，刘耀菊，宁珈祺，杨巨椽，
申请(专利权)人：杭州美迪凯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：