一种干湿法结合去胶工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种干湿法结合去胶工艺，其工艺步骤为：S1、基板准备：选取尺寸4寸

【技术实现步骤摘要】
一种干湿法结合去胶工艺


[0001]本专利技术涉及光学半导体干法刻蚀及湿法去胶工艺领域，尤其涉及一种干湿法结合去胶工艺，即湿法去胶工艺与干法刻蚀工艺相结合去除光刻胶的工艺。

技术介绍

[0002]目前光学半导体行业在快速发展，市场上对于在半导体器件上进行光学薄膜图形化加工的要求也越来越高。其中一部分部件就涉及到在硅基板上进行小尺寸图形化光学薄膜制作。其要求在半导体器件上部分区域沉积光学薄膜，而目前湿法去胶的工艺对于一些镀膜图形区域小去胶面积大的基板去胶效率不高，一般的黄光工艺结合湿法去胶的工艺在成膜后无法快速有效的去除多余的光刻胶，导致去胶时间长达5
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10小时，进而增加了成本。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本专利技术设计了一种干湿法结合去胶工艺，将湿法去胶工艺与干法刻蚀工艺相结合去除光刻胶，使得去胶效率明显提高，降低了生产成本。
[0004]本专利技术采用如下技术方案：一种干湿法结合去胶工艺，其工艺步骤为：S1、基板准备：选取尺寸4寸
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12寸硅晶元的一种作为基板，基板表面做抛光处理；S2、光刻胶涂覆：通过旋涂的方式将光敏胶均匀涂覆在基板表面，并使用曝光显影的方式使需要镀膜的区域裸露出来；S3、镀膜：通过PVD或者CVD的方式在基板表面沉积膜层，完成镀膜；S4、湿法去胶：采用浸泡去胶液的方式对成膜后的基板进行初步去胶，初步去胶时间1
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2小时；S5、干法刻蚀：将初步去胶后的基板放入干刻机通入高纯度的氧气以及氩气进行干法刻蚀快速去除剩余光敏胶的残留胶液，干法刻蚀时间3
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10分钟，完全去除光敏胶，完成整个干湿法结合去胶工艺。
[0005]作为优选，步骤S2中旋涂的方式控制转速在每分钟1000
‑
5000转。
[0006]作为优选，步骤S2中光刻显影的方式为将镀膜图形设计图纸转换为掩膜板并安装进光刻设备予以相应编程；光刻设备对焦后按程序对光敏胶位置进行3D图形曝光；将曝光后的基板放入显影机台用显影液进行冲洗；冲洗后将基板放入热板烘干。
[0007]作为优选，基板放入盛有显影液的池中浸泡5分钟
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20分钟。
[0008]作为优选，所述步骤S3中，表面沉积膜层厚度为4000
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6000nm。
[0009]作为优选，步骤S5中，氧气以及氩气的纯度大于99%。
[0010]本专利技术的有益效果是：本专利技术设计了一种干湿法结合去胶工艺，将湿法去胶工艺与干法刻蚀工艺相结合去除光刻胶，使得去胶效率明显提高，降低了生产成本。
附图说明
[0011]图1是本专利技术中基板的一种结构示意图；图2是图1中基板上涂光敏胶的一种结构示意图；图3是图2中光刻显影后的一种结构示意图；图4是图3中镀膜后的一种结构示意图；图5是图4中湿法去胶后的一种结构示意图；图6是图5中干法蚀刻后的一种结构示意图；图中：1、基板，2、光敏胶，3、膜层，4、残留胶液。
具体实施方式
[0012]下面通过具体实施例，并结合附图，对本专利技术的技术方案作进一步的具体描述：实施例：如附图1所示，一种干湿法结合去胶工艺，其工艺步骤为：S1、基板准备：选取尺寸4寸
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12寸硅晶元的一种作为基板，基板表面做抛光处理，如图1所示；S2、光刻胶涂覆：通过旋涂的方式将光敏胶均匀涂覆在基板表面，如图2所示；使用曝光显影的方式使需要镀膜的区域裸露出来，如图3所示；S3、镀膜：通过PVD或者CVD的方式在基板表面沉积膜层，完成镀膜，如图4所示；S4、湿法去胶：采用浸泡去胶液的方式对成膜后的基板进行初步去胶，初步去胶时间1
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2小时，如图5所示；S5、干法刻蚀：将初步去胶后的基板放入干刻机通入高纯度的氧气以及氩气进行干法刻蚀快速去除剩余光敏胶的残留胶液，干法刻蚀时间3
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10分钟，完全去除光敏胶，如图6所示，完成整个干湿法结合去胶工艺。
[0013]步骤S2中旋涂的方式控制转速在每分钟1000
‑
5000转。
[0014]步骤S2中光刻显影的方式为将镀膜图形设计图纸转换为掩膜板并安装进光刻设备予以相应编程；光刻设备对焦后按程序对光敏胶位置进行3D图形曝光；将曝光后的基板放入显影机台用显影液进行冲洗；冲洗后将基板放入热板烘干。
[0015]基板放入盛有显影液的池中浸泡5分钟
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20分钟。
[0016]步骤S3中，表面沉积膜层厚度为4000
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6000nm。
[0017]步骤S5中，氧气以及氩气的纯度大于99%。
[0018]原有光工艺结合湿法去胶的工艺在成膜后，湿法去胶的时间长达5
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10小时，本专利技术设计了一种干湿法结合去胶工艺，将湿法去胶工艺与干法刻蚀工艺相结合去除光刻胶，去胶时间合计需要仅需要湿法去胶的1
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2小时加上干法刻蚀时间的3
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10分钟，使得去胶效率大幅度提升，大大降低了生产成本。
[0019]以上所述的实施例只是本专利技术的一种较佳的方案，并非对本专利技术作任何形式上的限制，在不超出权利要求所记载的技术方案的前提下还有其它的变体及改型。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种干湿法结合去胶工艺，其特征是，其工艺步骤为：S1、基板准备：选取尺寸4寸
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12寸硅晶元的一种作为基板，基板表面做抛光处理；S2、光刻胶涂覆：通过旋涂的方式将光敏胶均匀涂覆在基板表面，并使用曝光显影的方式使需要镀膜的区域裸露出来；S3、镀膜：通过PVD或者CVD的方式在基板表面沉积膜层，完成镀膜；S4、湿法去胶：采用浸泡去胶液的方式对成膜后的基板进行初步去胶，初步去胶时间1
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2小时；S5、干法刻蚀：将初步去胶后的基板放入干刻机通入高纯度的氧气以及氩气进行干法刻蚀快速去除剩余光敏胶的残留胶液，干法刻蚀时间3
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10分钟，完全去除光敏胶，完成整个干湿法结合去胶工艺。2.根据权利要求1所述的一种干湿法结合去胶工艺，其特征是，步骤S2中...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈银培，宁珈祺，杨巨椽，吴超，
申请(专利权)人：杭州美迪凯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：