晶圆表面光刻胶的处理方法及半导体设备技术

本发明专利技术的实施例提供了一种晶圆表面光刻胶的处理方法及半导体设备，涉及半导体技术领域，该方法首先将表面面附着有光刻胶层的晶圆本体放置于反应腔中；然后对该晶圆本体进行预热处理，使得晶圆本体与反应腔内部的温度保持一致，然后使用等离子体活化晶圆本体表面附着的光刻胶层的上表层，再去除晶圆本体表面附着的光刻胶层的上表面的活化部分；依次循环预热步骤至去除步骤，直至所述晶圆本体表面留下预设厚度的光刻胶层。相较于现有技术，本发明专利技术实施例在去除光刻胶层前，先用活化气体电离后轰击光刻胶层，从而使得光刻胶层的表面得以活化，从而使得去胶后的表面平整度较好，极大地改善了剩余光刻胶层的均匀性，有利于后段继续进行制程。进行制程。进行制程。

【技术实现步骤摘要】
晶圆表面光刻胶的处理方法及半导体设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种晶圆表面光刻胶的处理方法及半导体设备。

技术介绍

[0002]在半导体器件制备过程中，尤其是当器件越来越精细化，需重复经历沉积，光刻，曝光，刻蚀，去胶等过程，成千上百道工艺由这几项重复进行。因此去胶显得尤为重要，对于后段工艺不需要将光刻胶进行全部去除时，并且希望整个晶圆的光刻胶表面要保持足够一致性，尽量减少对后段工艺器件的连接等的影响。因此就需要对去胶工艺提出严格的要求，包括去胶速率，均匀性等。
[0003]而目前现有通用的去胶工艺多数使用氧气进行去胶，氧气经射频功率形成含有氧离子的等离子体，使得长链碳氢交联化合物光刻胶破坏形成短链交联化合物，并与晶圆上的光刻胶发生化学反应达到去胶的效果。目前的反应速率较低，尤其是低温条件下，经解离后的氧离子能量低，活化能低，与光刻胶反应较慢；并且在低温下氧离子与其他氧气碰撞降低了其能量，对经过单一方向后软烘的光刻胶，二者相互作用，最终导致低温条件下光刻胶去胶后剩余光刻胶的均匀性比较低，一般为7％以上。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面光刻胶的处理方法，其特征在于，包括：晶圆本体放置步骤，将表面附着有光刻胶层的晶圆本体放置于反应腔中；预热处理步骤，对表面附着有光刻胶层的晶圆本体进行预热处理，以使所述晶圆本体与所述反应腔内部的温度保持一致；活化步骤，使用等离子体活化所述晶圆本体表面附着的光刻胶层的上表层；去除步骤，去除所述晶圆本体表面附着的光刻胶层的上表面的活化部分；依次循环所述预热处理步骤至所述去除步骤，直至在所述晶圆本体表面留下预设厚度的光刻胶层。2.根据权利要求1所述的晶圆表面光刻胶的处理方法，其特征在于，使用等离子体活化所述晶圆本体表面附着的光刻胶层的上表层的步骤，包括：向所述反应腔内通入活化气体，所述活化气体为流量为800sccm的惰性气体或者为氢氮混合气体，所述反应腔的压力为1.1T；在700W能量下电离所述活化气体以形成所述等离子体；利用所述等离子体轰击所述光刻胶层的上表面，每次轰击时间为30S。3.根据权利要求1所述的晶圆表面光刻胶的处理方法，其特征在于，去除所述晶圆本体表面附着的光刻胶层的上表面的活化部分的步骤，包括：向所述反应腔内通入反应气体；在电离条件下利用所述反应气体与所述光刻胶层反应，以去除所述光刻胶层的上表面的活化部分。4.根据权利要求1所述的晶圆表面光刻胶的处理方法，其特征在于，在晶圆本体放置步骤之前，所述方法还包括：在所述晶圆本体的表面涂布光...

【专利技术属性】
技术研发人员：林政勋，郭轲科，
申请(专利权)人：无锡邑文电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：