本发明公开了一种半导体材料的减薄抛光方法及减薄抛光装置，涉及半导体技术领域。通过在磨盘上设置多个第一研磨块和多个第二研磨块，第一研磨块上具有表面凹陷，第二研磨块上具有表面凸起，利用凸起型的研磨块和凹陷型的研磨块的异型错位分布，在旋转过程...

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种刻蚀设备，其包括反应室、等离子体发生室、气体分流盘和隔离件，等离子体发生室包括外壳、屏蔽罩和第一电磁感应线圈，屏蔽罩设置于外壳内、且具有第二腔室，外壳设置有进气孔，进气孔与第二腔室连通；第一电...

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种SiC刻蚀方法和设备，SiC刻蚀方法包括：去除预设沟槽的底部的硬壳层、以及单步刻蚀或多步刻蚀；去除预设沟槽的底部的硬壳层的步骤，包括：利用CF4气体去除预设沟槽的底部的硬壳层；单步刻蚀或多步刻...

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及纳米圆台偏振结构的超表面透镜的制备方法，包括：嵌套压印、圆台化刻蚀处理、图形转移刻蚀处理，其中，嵌套压印步骤可以形成多层嵌套的压印柱体，而且从内向外的第一压印胶层制得的圆柱、第二压印胶层和第三压印...

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及低损伤碳化硅界面的处理方法，包括清洗，去除碳化硅晶圆表面的浆液层；利用第一刻蚀气体刻蚀C原子层，第一刻蚀气体包括Ar和O2；利用第二刻蚀气体刻蚀Si原子层，第二刻蚀气体包括SF6；重复交替进行刻蚀...

本实用新型提供一种分线器及电控设备，涉及电子器件技术领域。分线器包括PCB板、数据接口连接器以及端子台。PCB板包括第一安装面和第二安装面，数据接口连接器设置于第一安装面，端子台设置于第二安装面，且端子台与数据接口连接器连接。通过在PC...

本实用新型涉及晶圆制备技术领域，具体公开了一种晶圆承载治具及半导体设备，该晶圆承载治具包括底座、托盘和顶针，其中，托盘设于底座，托盘具有穿出其两个端面的针孔；顶针能从托盘远离底座的一端穿入针孔，并可拆卸连接于底座。上述结构的设置使得托盘...

本申请提供的一种滚轮安装结构和车辆，涉及滚轮安装技术领域。滚轮安装结构包括第一安装架、导向轴和第二安装架，第一安装架用于安装滚轮，第二安装架用于与车辆的车体连接，第一安装架和第二安装架中的其中一个与导向轴固定连接，另一个与导向轴活动连接...

本发明涉及去胶技术领域，具体而言，涉及一种去胶设备保温结构和腔体保温方法。去胶设备保温结构包括主体、加热器以及保温加热单元；主体具备去胶腔，加热器与主体连接，且用于加热去胶腔；保温加热单元与主体连接，并用于加热主体。该去胶设备保温结构能...

本发明提供了一种生长硅薄膜的工艺方法及半导体设备，涉及半导体领域。生长硅薄膜的工艺方法所述生长硅薄膜的工艺方法包括：对衬底片进行预处理；将所述衬底片放置于反应腔室内，调整所述反应腔室的压力至预设压力，其中，预设压力为720mTorr～8...

本发明公开了一种原子层沉积设备，涉及半导体领域。该原子层沉积设备包括进气装置、预热装置、反应炉及加热装置；进气装置设置在反应炉上并与反应炉内部连通，用于将反应气体引入反应炉；预热装置设置于进气装置上，用于对反应气体进行预热；加热装置围成...

本发明的实施例提供了一种水平传输装置和原子层沉积设备，涉及半导体制造技术领域。水平传输装置包括底座、驱动组件、移动台和连接组件。驱动组件安装于底座。移动台可移动地安装于底座，且与驱动组件传动连接。驱动组件用于驱动移动台移动，移动台用于承...

本发明公开了一种MEMS器件的制备方法，该制备方法包括提供基底，并在基底上至少依次形成第一结构层、牺牲层和第二结构层；牺牲层具有至少一个贯穿牺牲层的开口，且开口暴露第一结构层，第二结构层包括位于开口内的第一分部和位于开口外的第二分部；去...

本发明的实施例提供了一种上下传输装置，涉及半导体技术领域，应用于ALD镀膜设备，ALD镀膜设备至少包括真空腔室和在真空腔室内部设置的反应腔，所述反应腔包括覆盖所述反应腔上方开口的内腔盖，所述内腔盖的底部连接有可拆卸的晶圆托架。该上下传输...

本发明的实施例提供了一种传输装置及ALD镀膜设备，该传输装置应用于ALD镀膜设备，ALD镀膜设备至少包括真空腔室和在真空腔室内部设置的反应腔，涉及晶圆加工技术领域。该传输装置包括水平传输装置和上下传输装置；水平传输装置设置于真空腔室的开...

本发明涉及半导体技术领域，公开一种去胶设备。其中去胶设备的晶圆腔用于存放至少一个晶圆；传输腔中设置有机械手臂，机械手臂用于传输晶圆；至少一个工艺腔内设置有加热盘，加热盘可承载机械手臂传输的晶圆，以使工艺腔对晶圆进行去胶工艺处理；探针本体...

本发明属于半导体制造设备技术领域，公开了一种托举机构及半导体设备。该托举机构包括托举底座、顶针和球帽，顶针竖直设置且下端与托举底座连接，顶针的顶端具有球形的球托部，顶针至少间隔设置有三个，所述球帽上开设有球形槽，所述球托部安装于所述球形...

本发明公开了一种ALD设备仿真方法、装置及系统，涉及气相沉积技术领域。该ALD设备仿真方法包括：基于ALD设备建立初始仿真模型；根据设定的组合参数对初始仿真模型进行镀膜仿真，得到气体流速的流线图，其中，组合参数包括气体的输入流量；根据流...

本发明的实施例提供了一种加热装置及ALD设备，涉及镀膜技术领域。该加热装置包括容置容器、反应腔以及加热组件。反应腔设置于容置容器内，反应腔用于镀膜，加热组件设置于容置容器内，并围绕于反应腔的所有外表面，以对反应腔的整体进行均匀地加热，提...

本申请提供一种晶圆快速热处理工艺的工艺温度控制方法和装置，所述方法包括：基于当前晶圆的实时工艺进度，获取预设温度采样节点对应的晶圆目标温度和晶圆实际温度，并生成目标温度曲线和实际温度曲线，基于目标温度曲线和实际温度曲线的斜率确定实际温度...