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本发明提供了一种钝化层刻蚀工艺及采用该工艺制成的功率半导体器件。其中的刻蚀工艺用于最高金属层连接的钝化层刻蚀，钝化层为层叠的多层结构，钝化层中最靠近最高金属层的材料依次是氮化钛层和氧化硅层，通过改进刻蚀工艺，使用第一刻蚀终点检测系统检测刻蚀...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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