制造半导体装置和图案化半导体结构的方法制造方法及图纸

本公开提供一种制造半导体装置的方法，方法包括以下步骤。形成半导体堆叠，其包括含硅层、沉积在部分的含硅层上的氧化物、底层和光阻层。图案化光阻层以形成光阻层中的第一开口。蚀刻底层以将第一开口延伸进底层，其中第一开口暴露氧化物的顶表面。使用第一蚀刻剂蚀刻氧化物和底层，其中氧化物和底层的蚀刻速率的比例约1:1。使用第二蚀刻剂蚀刻氧化物和含硅层以形成第一开口下方的第二开口，其中氧化物的蚀刻速率高于含硅层的蚀刻速率。本公开提供的方法包括两步骤蚀刻工艺，从而在图案化含硅层之前可以完全移除底层中的氧化物，因此使用底层图案化含硅层时，可以在含硅层中形成符合临界尺寸的开口。合临界尺寸的开口。合临界尺寸的开口。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置和图案化半导体结构的方法


[0001]本公开内容是关于制造半导体装置和图案化半导体结构的方法。

技术介绍

[0002]半导体工业经历了指数型成长。材料和设计的技术进展产生了很多代的装置，其中各代装置和前代相比具有更小和更复杂的电路。一般而言，缩小的工艺通过增加生产效率和降低相关成本而提供优势。当半导体制造工艺需要更小的工艺窗口(window)，将渐少在装置的元件之间的需求空间，并且变得越来越难达成。因此，需发展符合缩小的工艺的微影工具和图案化方法，促进形成具有预期临界尺寸(critical dimension，CD)的特征。当微影设备和图案化优势适用于很多方面，可以预期更远的进展。

技术实现思路

[0003]根据本公开一些实施例，提供一种制造半导体装置的方法，其中方法包括形成半导体堆叠，半导体堆叠包括含硅层、沉积在部分的含硅层上的氧化物、覆盖氧化物和含硅层的底层，以及底层上方的光阻层。方法也包括图案化光阻层以形成光阻层中的第一开口，以及蚀刻底层以将第一开口延伸进底层，其中第一开口暴露氧化物的顶表面。方法也包括使用第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：形成半导体堆叠，该半导体堆叠包括:含硅层；氧化物，沉积在部分的该含硅层上；底层，覆盖该氧化物和该含硅层；以及光阻层，在该底层上方；图案化该光阻层，以形成第一开口在该光阻层中；蚀刻该底层，以将该第一开口延伸进该底层，其中该第一开口暴露该氧化物的顶表面；使用第一蚀刻剂蚀刻该氧化物和该底层，其中该氧化物的第一蚀刻速率和该底层的第二蚀刻速率的比例约1:1；以及使用不同于该第一蚀刻剂的第二蚀刻剂蚀刻该氧化物和该含硅层，以形成该第一开口下方的第二开口，其中该氧化物的第三蚀刻速率高于该含硅层的第四蚀刻速率。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该氧化物的该第三蚀刻速率和该含硅层的该第四蚀刻速率的比例约3:1。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在蚀刻该底层以延伸该第一开口之后，该底层中的该第一开口的宽度大于该氧化物的最大宽度。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在蚀刻该氧化物和该含硅层之后，该底层中的该第一开口的宽度大于该底层中的该第二开口的宽度。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在蚀刻该底层以延伸该第一开口之后，在该氧化物的该顶表面和该第一开口的底表面之间的第一高度是25％至35％的在该顶表面和该氧化物的底表面之间的第二高度。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一蚀刻剂包括CHF3和O2的混合物。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第二蚀刻剂包括CHF3和CH2F2的混合物。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该半导体堆叠进一步包括底部抗反射涂层设置在该底层和该光阻层之间，以及蚀刻该底层以延伸该第一开口进一步包括蚀刻该底部抗反射涂层。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：将该第二开口延伸穿过该含硅层，以将该半导体装置分离成两部分。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：将该第二开口延伸穿过该含硅层；以及使用绝缘材料填充该第二开口以形成绝缘体。11.一种图案化半...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳兴，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：