本发明提供了一种伪栅加工工艺，包括研磨原始伪栅的介质层以及刻蚀伪栅极。所述伪栅加工工艺通过研磨所述介质层直至所述伪栅极露出后，刻蚀所述伪栅极直至所述伪栅极的高度达到预设高度后，再循环N次刻蚀所述伪栅极，并控制每次刻蚀结束后所述伪栅极的高...

本申请涉及集成电路制造领域，公开了一种晶圆加工工艺，包括：获得经过背清洗后的晶圆；利用碱性溶液对所述晶圆的背面进行清洗，中和所述晶圆的背面在背清洗后残留的酸性物质；对经过所述碱性溶液清洗后的所述晶圆进行光刻。本申请对经过背清洗后的晶圆，...

本发明涉及芯片设计领域，特别是涉及一种芯片版图的冗余填充方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过获取原始版图；将所述原始版图网格化，得到网格版图；将与所述网格版图中的预设图案重叠的网格区域确定为待排除区域；根据所述网格板图及所述待排除...

本申请涉及图像传感器领域，公开了一种背照式图像传感器，包括：衬底，所述衬底包括像素单元区；抗反射结构体，所述抗反射结构体设于所述衬底背面且与所述像素单元区对应；抗反射结构体包括至少一个抗反射单元，抗反射单元的顶部在衬底上的投影面积小于底...

本发明提供了一种俯仰角度的监测方法及监测设备，采用监测设备对机器人手臂的俯仰角度进行监测，所述监测设备包括激光发射器、激光接收器和第一反光玻璃；所述方法包括：激光发射器在水平面上相对第一方向倾斜朝向所述第二面发射激光，所述第一方向与第二...

本申请提供一种光学邻近效应修正方法、装置及电子设备、存储介质。该方法包括：根据预设分段值和已知的分段边长度对目标通孔图形的非固定边进行分段，得到多个分段边；筛选出多个分段边中符合距离条件的目标分段边；基于目标分段边进行光学邻近效应修正后...

本实用新型提供了一种电缆的保护装置，用于金属薄膜溅射设备上射频电缆的保护，所述保护装置包括驱动件、扣合件和抵触件；所述驱动件设于金属薄膜溅射设备基座上；所述扣合件与所述驱动件相连；所述抵触件设置在所述扣合件内，且在所述扣合件内形成一供所...

本实用新型提供了一种应用于SEM的样品夹具，包括基座、支撑件和固定件：所述基座可拆卸设于SEM样品台上；所述支撑件设置在所述基座上，且所述支撑件外套设有至少两个所述固定件，相邻两个所述固定件之间形成一用于夹持半导体样品的夹持区；所述固定...

本发明公开了一种非当层芯片透射电子显微镜样品的制备方法，包括：将目标芯片中包括监控点的目标区域与离子束的照射位置重合；将目标芯片转动预设角度，使得离子束的传播路径与目标芯片表面呈预设夹角；通过离子束沿预设夹角在目标芯片中刻蚀出斜槽，以在...

本发明涉及芯片制造领域，特别是涉及一种TSV芯片及其制造方法，通过在TSV芯片前驱体的正面整面覆盖硬掩膜层；在覆盖所述硬掩膜层的TSV芯片前驱体的正面设置TSV电连接开口及假性开口，得到金属前置物；所述TSV电连接开口底部暴露出所述TS...

本申请提供微电子元件及其制备方法、电子设备，涉及集成电路技术领域。微电子元件包括基底、支撑柱、调节结构和微镜结构；支撑柱的一端设置于基底，另一端连接微镜结构；调节结构包括用于存储电荷且相对设置的第一电极和第二电极，第一电极固定设置于支撑...

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有第一介质层，第一介质层中形成有若干贯穿第一介质层的开口，且开口的侧壁形成有第一侧墙；形成牺牲层覆盖第一侧墙的表面，以及形成第二侧墙覆盖牺牲层的表面，且牺牲层与第一侧墙和...

本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域上均形成有若干虚拟栅极，且虚拟栅极上形成有硬掩模层；形成第二氮化层顺形地覆盖第一区域和第二区域；光刻打开第二区域；刻蚀去除第二区域上的第...

本发明提供了一种掩模板版图的修正方法及系统和掩模板，方法包括以下步骤：S1，获取版图的技术节点信息及工艺层次信息以确定需要在邻侧添加辅助图形的目标主图形；S2，计算目标主图形到与其相邻的主图形的距离并记录为初始距离值；计算目标主图形的宽...

本发明提供了一种伪栅加工方法，包括在设置于第一伪栅的基底上顺次沉积形成氮化介质层和第一疏松氧化介质层，研磨所述第一疏松氧化介质层直至所述第一疏松氧化介质层顶面与所述第一伪栅的伪栅介质层顶面之间垂直距离达到预设值，所述预设值大于0，再通过...

本发明公开了一种改善金属大马士革一体化刻蚀中铜线氧化缺陷的方法，包括：按照金属大马士革一体化刻蚀工艺菜单，在层间介质层中形成具有沟槽和相连位于所述沟槽下方的孔洞的大马士革结构，并露出所述孔洞底部下方的下层铜层的表面；执行原位灰化步骤；插...

本申请涉及半导体制作领域，公开了一种P型场效应晶体管及其制作方法，包括步骤S1：在衬底上对应源区、漏区的凹槽中生长掺杂锗的主体层；步骤S2：根据预设盖帽层厚度在主体层上表面生长盖帽层，得到当前制作的P型场效应晶体管；预设盖帽层厚度为主体...

本发明提供了一种TSU沾污检测装置及方法，TSU沾污检测装置包括：横向滑轨，设置在TSU上方，且横向滑轨的高度高于TSU表面所在高度；竖向滑轨，设置在TSU上方和横向滑轨下方，且竖向滑轨与横向滑轨滑动连接；激光发射器，用于发射激光至TS...

本申请涉及半导体领域，公开了一种硅通孔截面样品制作方法，包括：利用离子研磨仪研磨预制样品的第一表面，并确定离子研磨仪对预制样品的研磨速率；预制样品包括硅通孔；根据硅通孔距离研磨后第一表面的距离和研磨速率，确定目标研磨时间；按照研磨速率及...

本申请涉及半导体领域，公开了一种聚焦环，包括：聚焦环本体和转向驱动装置，所述转向驱动装置用于驱动所述聚焦环本体在静电卡盘周围旋转。本申请中聚焦环本体可以在转向驱动装置的驱动下在静电卡盘周围旋转，在进行等离子体刻蚀时，可以通过旋转聚焦环本...