TSU沾污检测装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种TSU沾污检测装置及方法，TSU沾污检测装置包括：横向滑轨，设置在TSU上方，且横向滑轨的高度高于TSU表面所在高度；竖向滑轨，设置在TSU上方和横向滑轨下方，且竖向滑轨与横向滑轨滑动连接；激光发射器，用于发射激光至TSU表面，激光发射器滑动安装在竖向滑轨上，并沿着竖向滑轨所在方向移动，以通过竖向滑轨和横向滑轨调节位置；激光接收器，设置在TSU上方，用于接收激光发射器发出的激光经过反射之后的反射信号；光电转换模块，与激光接收器电连接，用于将反射信号转换为电压信号，并根据电压信号确定TSU表面粒子的大小。本发明专利技术能够对TSU表面进行实时监控以及时发现掉落的粒子，对晶圆加工过程起到保护作用，提高了晶圆的良率。高了晶圆的良率。高了晶圆的良率。

【技术实现步骤摘要】
TSU沾污检测装置及方法


[0001]本专利技术涉及搬集成电路制造工艺
，尤其涉及一种TSU沾污检测装置及方法。

技术介绍

[0002]温度稳定装置(Temperature stabilization Unit，TSU)是晶圆(wafer)进入光刻机前的温控和预对准单元，参考图1，晶圆在TSU单元上旋转进行预对准，由于光刻机对准的精度要求高，晶圆和TSU单元之间的间隙小，一般约为40um。由于晶圆和TSU单元之间的间隙小，对于TSU单元没有有效的监控方式。对于TSU在涂胶显影机和光刻机衔接的部分，存在TSU表面掉落粒子(particle)的风险，而当TSU表面掉落粒子的时候，随着晶圆旋转，粒子在晶圆背面有造成持续划伤风险，可能存在对光刻机内部环境污染的风险，而且晶背存在划伤的晶圆在光刻制程中可能影响良率。
[0003]因此，有必要提供一种新型的TSU沾污检测装置及方法以解决现有技术中存在的上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种TSU沾污检测装置及方法，能够对TSU表面进行实时监控以及时发现掉落的粒子，对晶圆加工过程起到保护作用，提高了晶圆的良率。
[0005]为实现上述目的，本专利技术的所述一种TSU沾污检测装置，包括：
[0006]横向滑轨，设置在TSU上方，且所述横向滑轨的高度高于所述TSU表面所在高度；
[0007]竖向滑轨，设置在所述TSU上方和所述横向滑轨下方，且所述竖向滑轨与所述横向滑轨滑动连接；
[0008]激光发射器，用于发射激光至所述TSU表面，所述激光发射器滑动安装在所述竖向滑轨上，并沿着所述竖向滑轨所在方向移动，以通过所述竖向滑轨和所述横向滑轨调节位置；
[0009]激光接收器，设置在所述TSU上方，用于接收所述激光发射器发出的激光经过反射之后的反射信号；
[0010]光电转换模块，与所述激光接收器电连接，用于将所述反射信号转换为电压信号，并根据所述电压信号确定所述TSU表面粒子的大小。
[0011]本专利技术所述TSU沾污检测装置的有益效果在于：由于竖向滑轨与横向滑轨滑动连接，而激光发射器也滑动安装在竖向滑轨上，从而通过将竖向滑轨沿着横向滑轨移动，将激光发射器沿着竖向滑轨移动，从而能够灵活调整激光发射器在TSU上方的位置，以便于对TSU不同位置发射激光，而激光反射之后的反射信号通过激光接收器接收之后，光电转换模块对反射信号进行处理，以将反射信号转换为电压信号，以便于根据电压信号的大小确定TSU表面粒子的大小，以及时检测出TSU表面超过规格的粒子，对晶圆起到保护作用，提高了晶圆加工的良率。
[0012]可选的，所述TSU为圆形，所述横向滑轨的长度和所述竖向滑轨的长度均大于所述TSU的直径。
[0013]可选的，所述横向滑轨沿着所述TSU的直径所在方向设置，所述横向滑轨和所述竖向滑轨垂直连接。
[0014]可选的，所述竖向滑轨通过第一电机驱动以沿着所述横向滑轨所在方向滑动，所述激光发射器通过第二电机驱动以沿着所述竖向滑轨所在方向滑动。
[0015]可选的，所述横向滑轨两端底部均连接有支座，所述支座均设置在所述TSU外部。
[0016]可选的，所述激光接收器与所述激光发射器集成在一起。
[0017]可选的，所述光电转换模块包括光电倍增管和处理器单元，所述光电倍增管用于将所述反射信号转换为电压信号，所述处理器单元与所述光电倍增管电连接，用于根据所述电压信号的大小计算所述TSU表面粒子的尺寸。
[0018]可选的，所述光电转换模块还包括报警器，所述报警器与所述处理器单元电连接，在所述处理器单元检测到所述粒子的尺寸超过预设阈值时，所述处理器单元控制所述报警器启动报警。
[0019]本专利技术还公开了一种TSU沾污检测方法，应用于上述的TSU沾污检测装置，所述TSU沾污检测方法包括：
[0020]调整所述竖向滑轨在所述横向滑轨的位置之后，调整所述激光发射器在所述竖向滑轨的位置；
[0021]启动所述激光发射器发射激光信号至所述TSU表面，通过所述激光接收器接收所述激光信号反射之后的反射信号；
[0022]通过所述光电转换模块将所述反射信号转换为电压信号，并根据所述电压信号的大小确定所述TSU表面粒子的大小。
[0023]可选的，所述TSU沾污检测方法还包括：
[0024]在检测到所述粒子的尺寸超过预设阈值时，控制报警器启动报警。
附图说明
[0025]图1为现有技术中TSU和晶圆的工作示意图；
[0026]图2为本专利技术的TSU沾污检测装置的俯视图；
[0027]图3为本专利技术的所述TSU沾污检测装置中光电转换模块的结构框图；
[0028]图4为本专利技术的所述TSU沾污检测方法的流程图。
具体实施方式
[0029]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
[0030]针对现有技术存在的问题，本专利技术的实施例提供了一种TSU沾污检测装置，参考图2，包括：
[0031]横向滑轨10，设置在TSU20上方；
[0032]竖向滑轨30，设置在所述TSU20上方和所述横向滑轨10下方，且所述竖向滑轨30与所述横向滑轨10滑动连接；
[0033]激光发射器40，用于发射激光至所述TSU20表面，所述激光发射器40滑动安装在所述竖向滑轨30上，并沿着所述竖向滑轨30所在方向移动，以通过所述竖向滑轨30和所述横向滑轨10调节位置；
[0034]激光接收器50，设置在所述TSU20上方，用于接收所述激光发射器40发出的激光经过反射之后的反射信号；
[0035]光电转换模块60，与所述激光接收器50电连接，用于将所述反射信号转换为电压信号，并根据所述电压信号确定所述TSU20表面粒子的大小。
[0036]在本实施例中，通过上述的TSU沾污检测装置对TSU20表面进行沾污检测，在检测时，首先将竖向滑轨30沿着横向滑轨10移动以调节激光发射器40在水平方向的位置，之后将激光发射器40沿着竖向滑轨30移动，从而调整激光发射器40在竖直方向的位置，通过上述的方式即可自由调整激光发射器40在TSU20上方不同位置进行激光发射，激光发射器40发射的激光信号被TSU20表面反射之后的反射信号通过激光接收器50接收，以便于光电转换模块60对激光接收器50接收的反射信号进行处理，以将反射信号转换为电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TSU沾污检测装置，其特征在于，包括：横向滑轨，设置在TSU上方，且所述横向滑轨的高度高于所述TSU表面所在高度；竖向滑轨，设置在所述TSU上方和所述横向滑轨下方，且所述竖向滑轨与所述横向滑轨滑动连接；激光发射器，用于发射激光至所述TSU表面，所述激光发射器滑动安装在所述竖向滑轨上，并沿着所述竖向滑轨所在方向移动，以通过所述竖向滑轨和所述横向滑轨调节位置；激光接收器，设置在所述TSU上方，用于接收所述激光发射器发出的激光经过反射之后的反射信号；光电转换模块，与所述激光接收器电连接，用于将所述反射信号转换为电压信号，并根据所述电压信号确定所述TSU表面粒子的大小。2.根据权利要求1所述的TSU沾污检测装置，其特征在于，所述TSU为圆形，所述横向滑轨的长度和所述竖向滑轨的长度均大于所述TSU的直径。3.根据权利要求3所述的TSU沾污检测装置，其特征在于，所述横向滑轨沿着所述TSU的直径所在方向设置，所述横向滑轨和所述竖向滑轨垂直连接。4.根据权利要求1所述的TSU沾污检测装置，其特征在于，所述竖向滑轨通过第一电机驱动以沿着所述横向滑轨所在方向滑动，所述激光发射器通过第二电机驱动以沿着所述竖向滑轨所在方向滑动。5.根据权利要求1所述的TSU沾污检测装置，其特征在于，所述横向滑轨两端底部均连接有支座，所述支座均设置在所述TS...

【专利技术属性】
技术研发人员：余鑫，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：