本实用新型公开了一种炉管装置，包括：双层反应管，所述双层反应管设有内层反应管和罩于所述内层反应管外周上的外层反应管，所述内层反应管中用于放置垂直装载有多层产品的晶舟，所述外层反应管与所述内层反应管之间形成空腔，所述内层反应管的第一侧壁上...

本实用新型提供了一种芯片处理装置，其特征在于，包括敞口容器和手柄，所述手柄底端与所述敞口容器外壁固定连接，所述敞口容器内壁均匀设置有多个底部孔洞，所述敞口容器侧壁均匀设置有多个侧壁孔洞，所述敞口容器内部安装有分隔组件，所述分隔组件底部与...

本实用新型提供了一种机械手调试模组和负载端口调试单元。该机械手调试模组包括：基板和至少一个运动组件；所述运动组件包括移动标尺和传动部件；所述传动部件的至少一部分与所述移动标尺连接，所述传动部件用于牵引所述移动标尺运动；所述基板设有导轨部...

本发明公开了一种MOS器件的宽温模型建模方法，包括步骤S1：根据测试数据，调整MOS器件的常温电学参数和温度相关参数，建立适用于常规温度范围的基本模型；步骤S2：在基本模型中定义宽温区域范围；步骤S3：针对基本模型中与温度相关的模型参数...

本实用新型提供了一种紫外线光钝化装置，包括：内部容置有至少一片晶圆的腔体，顶部开设有透光孔；至少一个灯箱，内部安装有紫外线灯；旋转机构，包括驱动单元及啮合传动单元，啮合传动单元包括第一传动部件及至少一个第二传动部件，第一传动部件与第二传...

本发明提供了一种退火方法以及应用所述退火方法的退火装置。所述退火方法包括通过所述主控部控制所述退火部提供退火介质并作用于所述第一区的一个子区后，再控制所述退火介质作用于所述第二区的一个子区，然后重复所述步骤S1直至所述退火介质对所述第一...

本发明提供了一种激光退火设备及使用所述激光退火设备进行的激光退火控制方法。本发明的所述激光退火设备包括载物部、遮蔽部和激励部。本发明所述激光退火设备中，靠近所述载物部设置包括压电振子的遮蔽部，设置激励部电连接所述压电振子，并配置所述遮蔽...

本发明提供了一种退火设备，包括承载部、主退火部和辅助退火部。本发明在所述承载部的受光区域的一侧设置用于出射若干辅助加热光束的所述辅助退火部以利于后续对待处理基片，如硅片先进行预加热，结合将所述辅助退火部配置为使所述若干辅助加热光束发散入...

本实用新型提供了一种支撑高度测量装置，用于测量一加热盘上若干支撑柱的支撑高度，包括：测量主体，安装在加热盘的上方，测量主体上设有若干对应各个支撑柱的测量点，且所有测量点位于同一基准面上；若干测距模块，对应设置在各个测量点处，测距模块包括...

本发明提供一种MOS器件的测试系统及测试方法。该测试系统中，多栅测试结构包括第一注入阱和位于第一注入阱上方的多个主栅极，每个主栅极两侧的基底上方形成有设定数量的第一源漏接触孔，辅助测试结构包括第二注入阱和位于第二注入阱上方的多个辅助栅极...

本实用新型提供了一种去除光掩模保护膜的装置，应用于设置有保护膜的光掩模，包括：本体部、加热板；所述本体部一侧设置凹槽，所述凹槽内设置有所述加热板，所述凹槽的深度大于所述加热板的高度；所述加热板用于放置所述光掩模，以对所述光掩模进行加热处...

本发明提供了一种探测器及其制造方法，该探测器包括：第一衬底，位于第一衬底上的金属反射层，所述金属反射层具有金属反射图案；位于金属反射层上的微桥单元结构；以及位于微桥单元结构外围的封装结构，所述封装结构包括第二衬底结构和与所述第二衬底结构...

本发明提供了一种低温离子注入方法及装置，该装置包括预冷台、与所述预冷台相连的预热台和传送部。所述传送部，用于在对硅片进行低温离子注入工艺前，将所述硅片传送至预冷台；所述预冷台，用于对所述硅片进行预冷；所述传送部，还用于将所述硅片转移到工...

本发明提供了一种图像自动白平衡的实现方法、装置及其芯片，该方法包括：芯片的可编程逻辑模块从图像传感器获取原始图像对应的多通道图像；所述可编程逻辑模块对所述多通道图像进行像素值的统计，得到特征值；所述芯片的处理系统模块根据所述多通道图像的...

本申请提供总线装置及数据读写电路，所述总线装置包括：转发模块、第一I2C总线以及第二I2C总线；所述第一I2C总线和所述第二I2C总线的电压域不同；所述第一I2C总线连接第一主设备和第一从设备；所述第一I2C总线包括第一时钟线和第一数据...

本发明提供了一种MOS电容及其制造方法。所述MOS电容包括衬底和栅结构，所述衬底包括单晶半导体层和凸起结构。由单晶半导体材料组成的所述凸起结构设置于所述单晶半导体层的顶面，所述栅结构覆盖所述凸起结构的顶面以及相对且沿第一方向延伸的两侧面...

本发明提供了一种芯片内部供电电路及其控制方法，所述芯片内部供电电路包括：包括：供电模块、判决电路和逻辑链路；所述供电模块接收第一输入电压，所述逻辑链路接收第二输入电压；所述判决电路输出判决结果；所述供电模块根据第一使能信号输出所述第一输...

本发明公开了一种相变存储器单元及其制备方法，相变存储器单元自下而上包括对应设置的第一电极、相变单元和第二电极，所述相变单元被配置为纵向的柱形结构，所述柱形结构由内向外包括依次连接的相变材料层、阻挡层和选择器件层；其中，所述第一电极与所述...

本发明公开了一种相变存储器单元及其制备方法，相变存储器单元自下而上包括：第一电极、相变单元和第二电极，所述相变单元为纵向设置的柱形结构，所述柱形结构由内向外包括依次连接的选择器件层、阻挡层和相变材料层；其中，所述第一电极为多个，并分别与...

本实用新型提供了一种硅片的洗边装置，包括硅片旋涂工作台、洗边装置、背冲洗装置和供液系统；洗边装置包括喷头安装座，喷头安装座上安装有第一喷头、第二喷头和第三喷头，第一喷头用于喷射第一溶剂，第二喷头用于喷射清除含硅抗反射层的第二溶剂，第三喷...