本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，浅沟槽隔离结构包括形成于衬底的第一浅沟槽中的第一隔离层，第一隔离层中具有第二浅沟槽，且第一隔离层对衬底的应力为拉应力；第二隔离层填充第二浅沟槽，第二隔离层用于提供压应力，以平衡和缓解第一隔离层产...

本技术提供一种晶圆承载装置及等离子体增强化学气相沉积设备，所述晶圆承载装置包括基座和承载环，承载环位于基座的边缘位置，承载环的上表面具有多个载体部件，每个载体部件的上表面均为球面，用于与晶圆接触以承载晶圆，即载体部件与晶圆之间的接触面为...

本申请提供一种晶圆测试数据处理方法、装置、设备及介质，可用于芯片技术领域。该方法包括：获取在对晶圆进行测试时所生成的标准测试数据文件；对标准测试数据文件进行解析，以获得多个数据类型分别对应的数据文件；其中，数据文件包括属于对应数据类型的...

本申请公开了一种版图修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质，属于集成电路制造技术领域，该方法首先在保证符合目标规则的前提下，对目标层中违反掩模规则检查的角对角结构进行第一次修正；然后对第一次修正后的角对角结构进行筛选，并通过非常规的光...

本申请提供一种晶圆的标记图生成方法、装置、设备及介质，可用于芯片技术领域。该方法包括：获取用户针对目标测试自定义的标记规则；标记规则用于标记晶圆上的位置芯片；获取晶圆针对目标测试的测试数据；根据测试数据，从晶圆上的多个位置芯片中确定符合...

本技术公开了一种光掩模二次涂胶机腔体清洗装置，应用于涂胶机涂胶腔体清洗技术领域，清洗装置内部设置有内腔，清洗装置的顶面设置有注液口，清洗装置的侧面设置有至少一个出液口；清洗装置可嵌入旋转平台与旋转平台固定连接，出液口与清洗装置的底面之间...

本申请公开了一种通孔刻蚀方法及CMOS图像传感器，属于半导体制造领域，该方法包括：提供一个待刻蚀的衬底；衬底表面预先沿厚度方向依次设置上层金属层、阻挡层、层间介质层、上电极层和光刻胶层；上电极层设置在预设的像素区域；曝光显影光刻胶层，在...

本申请公开了一种增粘剂用量监控方法、装置、涂胶显影设备及存储介质，属于光刻技术领域，该方法包括：判断增粘剂涂覆单元是否跑片；当检测到所述增粘剂涂覆单元跑片时，获取所述增粘剂涂覆单元的跑片数量；当检测到所述增粘剂涂覆单元跑片时，获取所述增...

本发明公开了一种探针清洗机构及探针清洗方法，应用于方块电阻量测技术领域，在工作时沿周向方向磨针垫安装盘与清针泥安装盘发生相对转动；磨针垫安装盘朝向清针泥安装盘一侧表面设置有磨针垫，清针泥安装盘的安装板设置有通孔，安装板朝向磨针垫安装盘一...

本申请涉及半导体制造领域，公开了一种去除光刻胶的方法，包括：使用第一目标气体对硅片上的光刻胶进行干法去胶，并去除位于光刻胶上的硬层；所述第一目标气体包括氢气；当所述硬层完全去除、所述光刻胶部分去除，停止通入所述第一目标气体，并通入第二目...

本发明提供一种栅极侧墙制作方法及半导体器件，在NMOS区域上的第一栅极结构和在PMOS区域的第二栅极结构的侧壁形成栅极侧墙时，先形成均包括第一膜层、第二膜层和第三膜层的侧墙，其中，第二膜层的K值小于第一膜层和第三膜层的K值，而后去除所述...

本发明提供了一种半导体器件的制备方法，所述制备方法包括：提供半导体衬底，其上包括栅极结构及位于栅极结构两侧的源漏区域；在半导体衬底上依次形成第一侧墙结构及第二侧墙结构，第一侧墙结构及第二侧墙结构均包括位于栅极结构侧壁的侧墙部，第一侧墙结...

本发明公开了一种腔体降温装置，包括：冷却模块，所述冷却模块设有帕尔贴冷却元件，所述帕尔贴冷却元件用于对流经的第一气体进行冷却，所述冷却模块用于向腔体中提供经冷却的所述第一气体进行快速降温。本发明利用帕尔贴效应，能实现对腔体的快速降温，提...

本申请提供一种晶圆良率图的匹配方法、装置、设备及介质，方法包括：获取待匹配的晶圆良率图；根据待匹配的晶圆良率图，提取第一失效图和第二失效图；对第一失效图和图形数据库中的多个第一匹配图进行相似度匹配，以及对第二失效图和图形数据库中的多个第...

本发明实施例提供一种聚焦补偿方法、电子设备及计算机可读存储介质，利用光学量测设备预设的光学扫描程序对标准片进行光学扫描，以根据光学扫描的结果得到一参考聚焦补偿值；根据所述参考聚焦补偿值对所述光学量测设备进行光学量测时的聚焦补偿值校正至零...

本发明提供了一种炉管机台加热装置及炉管机台，包括：若干个第一加热组件，炉管机台的反应腔体在其高度方向上具有多个温度分区，每个所述温度分区设置至少一个所述第一加热组件，每个所述第一加热组件周向地绕设于所述反应腔体的不同高度位置，每个所述第...

本发明提供了一种金属‑绝缘体‑金属电容器的制造方法，包括：提供衬底；形成第一电极层，其在第一类金属线上方具有第一开口；形成介电层及形成第二电极层，其在第二类金属线上方具有第二开口；依次交替形成剩余的介电层及电极层，其中奇数电极层依次位于...

本申请提供一种芯片异常的检测方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：获取待检测芯片的原始设计版图中版图基本结构与分层信息；根据基本结构的连接特征与预配置的观测模式，对接触孔进行第一计算逻辑设置和颜色表征以获取接触孔层图像；基于接触孔层、...

本发明提供了一种金属‑绝缘体‑金属电容器结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，其上具有堆叠体；形成覆盖材料层；执行第一光刻及对应的刻蚀工艺，形成N个第一开口及第N+1开口；执行第二至第M光刻及对应的刻蚀工艺，形成第二至第N开口，...

本发明公开了一种喷淋装置及薄膜沉积设备，包括：本体，所述本体上设有喷淋面，所述喷淋面上划分有多个喷淋区域，每个所述喷淋区域上分布有多个喷嘴；控制模块，包括第一控制单元，所述第一控制单元用于对每个所述喷淋区域上的所述喷淋面的局部相对高度进...