本发明提供了一种沟槽电容器及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；形成第一沟槽暴露第一金属线、第二沟槽暴露第二金属线及第三沟槽暴露第三金属线；在第一沟槽中形成单层电容及在第二沟槽中形成双层电容，双层电容包括第一电极、第一介质层、第二电...

本发明提供了一种MIM电容器及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，具有第一金属线及金属焊盘，绝缘层覆盖第一金属线及金属焊盘；在绝缘层中形成沟槽暴露第一金属线；依次形成第一电极材料层、第一介质材料层及第二电极材料层覆盖绝缘层的表面及沟...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，衬底中形成第一金属线、第二金属线及绝缘层；在绝缘层中形成若干沟槽；形成第一电极至少覆盖沟槽及沟槽周边的绝缘层；形成第一介质层及第二电极保形地覆盖沟槽及沟槽周边的第一电极...

本技术公开了一种减少研磨液粒子聚集的控制装置及研磨液供应系统，包括：设于过滤器之前的研磨液输送管道中的搅拌模块，所述搅拌模块用于受控对流经的研磨液进行搅拌，以通过施加的搅拌力，使研磨液中的研磨粒子处于均匀分散的状态，以改变研磨液中研磨粒...

本发明提供了一种金属‑绝缘体‑金属电容器及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，包括器件区及外围区，器件区具有金属线，外围区具有与金属线同层排布的金属焊盘，绝缘层覆盖金属线及金属焊盘；在绝缘层中形成沟槽及通孔，沟槽暴露金属线，通孔暴露...

本发明公开了一种纳米探针样品的前处理方法，包括：提供具有目标层的样品，所述目标层含有异质目标结构；使用第一物理研磨方式将所述样品研磨至所述目标层，使所述目标结构自所述样品表面露出；使用第二物理研磨方式将所述样品表面研磨至粗糙度达标；使用...

本发明提供了一种电容器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，其中形成有第一金属线、第二金属线及绝缘层；在绝缘层中形成若干沟槽；依次形成第一电极材料层、第一介质材料层及第二电极材料层覆盖绝缘层及沟槽；执行图形化工艺，以形成覆第一电极...

本发明提供了一种芯片截面的制备方法，包括以下步骤：所述芯片截面为填铜类芯片截面，所述芯片截面的制备方法包括以下步骤：S0：提供芯片；S1：在所述芯片上标记目标位置，手动裂片至目标位置以得到未处理的芯片截面；S2：使用离子抛光仪对所述未处...

本发明提供了一种双层电容器及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；在第二金属线上的绝缘层中形成沟槽，以暴露第二金属线；在沟槽周边的绝缘层上及沟槽中形成双层电容，且暴露部分第二电极及第三电极的表面，第一电极与第二金属线电性连接；形成第三...

本发明提供了一种沟槽电容器及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；形成若干第一沟槽暴露第一金属线，及若干第二沟槽暴露第二金属线；在第一沟槽及其周边的绝缘层上形成单层电容及在第二沟槽及其周边的绝缘层上形成双层电容，第二电极利用第一沟槽连...

本技术提供了一种晶圆清洗装置，包括清洗机构、转动机构和测速器；所述转动机构用于安装晶圆并可带动所述晶圆转动，且所述晶圆的边缘具有缺口；所述清洗机构设于所述转动机构的两侧，用于对所述晶圆的正面和背面进行清洗；所述测速器靠近所述转动机构设置...

本发明提供一种研磨硅片的装置和方法，该方法包括：在研磨硅片之前获取硅片表面各个区域的初始厚度值；当研磨硅片表面时，实时获取所述各个区域的研磨厚度值；根据所述研磨厚度值和所述初始厚度值计算所述各个区域的磨除量；获取研磨时间，根据所述磨除量...

本技术提供了一种晶圆研磨盘用升降装置、修整装置及晶圆研磨装置，包括壳体、动力器、第一位置传感器和第二位置传感器；动力器设于壳体，动力器包括升降驱动组件和升降轴，升降驱动组件用于控制升降轴升降；第一位置传感器和第二位置传感器位于升降轴的侧...

本发明提供了一种用于预装载腔室上的管道及预装载设备，所述管道包括管体，一端用于连接预装载腔室，另一端用于连接真空泵；阻挡件，嵌设于所述管体内，所述阻挡件具有第一端部、第二端部、气体通道；所述第一端部和所述第二端部分别位于所述阻挡件的两端...

本申请涉及半导体领域，公开了一种晶圆研磨设备和研磨方法，包括：晶圆承载中转件，用于承载待研磨晶圆；图像采集装置，设于晶圆承载中转件的侧端，用于采集待研磨晶圆边缘的图像；图像处理装置，与图像采集装置相连，用于根据图像确定待研磨晶圆的边缘是...

本申请公开了一种功函数层制备方法及MOS管，属于半导体集成电路领域，该方法包括：在沉积多个P型功函数层的过程中，通入含氧原子的气体将所述氧原子插入所述P型功函数层，在不含所述氧原子的所述P型功函数层之间形成含氧原子P型功函数层，以形成第...

本发明提供一种金属栅极的形成方法，包括：提供一基底，在基底上形成多个多晶硅伪栅，且相邻两个多晶硅伪栅之间具有间隔空间；在间隔空间内形成介质层，且介质层的上表面与多晶硅伪栅的上表面平齐；对介质层的远离基底的部分进行重离子注入，并形成掺杂有...

本发明提供一种防护结构清洗装置及清洗方法、半导体工艺设备；半导体工艺设备包括：半导体工艺腔室及设置于半导体工艺腔室中的基座、防护结构及清洗装置；防护结构环绕基座设置；清洗装置包括喷射结构、输送管路和摆动调整结构；喷射结构安装于基座的内部...

本发明公开了一种晶舟及半导体设备和薄膜生长工艺中的防粘接方法，晶舟包括：支撑组件，其包括第一支撑组件和第二支撑组件，所述第一支撑组件和所述第二支撑组件设置为能够在轴向发生相对位置的变化，用于进行交替支撑。本发明通过第一支撑组件和第二支撑...

本技术公开了一种升降销夹具及加热基座，升降销夹具包括：本体，所述本体包括相连的安装部和夹持部，所述安装部上设有销孔，所述夹持部设有多个夹持体，各所述夹持体围绕所述销孔设置；紧固件，设于所述本体上，所述紧固件包括第一紧固件，所述第一紧固件...