本发明公开了一种用于加热基座的检测装置和工艺设备，检测装置包括：检测模块；所述加热基座设有静电卡盘，所述静电卡盘通过一对电极并采用接触方式接入在卡盘电压输入线路中；所述检测模块并接在所述卡盘电压输入线路中，所述检测模块用于在所述卡盘电压...

本发明公开了一种加热基座的水平度监控系统和方法及工艺设备，通过测量加热基座表面上的至少三个被测点与基准面之间的相对距离，根据各相对距离，计算出加热基座的水平度偏移量，从而可对加热基座的水平度进行实时监控；当水平度偏移量满足阈值而超标时，...

本发明公开了一种栅极形貌的改善方法，包括：提供形成有鳍部和伪栅极的衬底，伪栅极在与鳍部侧壁交界处存在材料残留部；在衬底上形成覆盖至鳍部顶面的第一牺牲层，露出位于鳍部顶面以上的伪栅极的部分；在露出的伪栅极的部分的表面上形成保护层，然后，去...

本发明提供了一种FFU加热装置、半导体量测机台及其温控方法，FFU加热装置包括：机箱，机箱的外表面设有进风口和出风口，进风口设置于机箱的上方，出风口设置于机箱的下方；进风口和机箱之间的管道设有可旋转的风口连接器，风口连接器的旋转连轴器在...

本发明提供了一种FFU加热装置、半导体量测机台及其温控方法，FFU加热装置包括：机箱，机箱的四周表面均设有进风口，进风口覆盖有进风窗；机箱的底部设有出风口；驱动部设置在机箱上与进风窗电连接用于控制进风窗的开合；风机设置在机箱中；驱动部与...

本发明公开了一种化学机械研磨设备中的清洗装置和方法，清洗装置包括：清洗模块、水平干燥模块和传送及翻转模块；所述传送及翻转模块用于将研磨后垂直放置的待清洗的处理对象抓取和传送后，垂直放入所述清洗模块进行垂直状态的清洗，将清洗后的所述处理对...

本发明涉及晶圆退火领域，特别是涉及一种激光退火装置及激光退火功率的校准方法，包括激光头、扫描运动组件及工艺腔室；所述激光头固定于所述扫描运动组件上，所述扫描运动组件带动所述激光头移动，完成对待退火晶圆的退火；所述工艺腔室包括透光窗口、工...

本技术公开了一种晶圆定位装置及半导体成膜设备，应用于晶圆加工领域，该晶圆定位装置包括：晶圆放置区域和设置在晶圆放置区域上方的晶圆定位部件；晶圆定位部件包括激光发射子部件和开设有移动导轨的承载子部件；移动导轨沿径向方向延伸；激光发射子部件...

本技术提供了一种光刻机传片用片叉及半导体装置，通过在涂胶显影机和光刻机之间设置可移动的叉形本体，并在所述叉形本体内设置有管道，所述管道中通入介质后对传送过程中所述叉形本体上承载的晶圆的温度进行调节，使得在利用叉形本体在所述涂胶显影机和光...

本技术公开了一种掩模版冷却装置及光刻设备，应用于光刻技术领域，包括：第一掩模版冷却装置和第二掩模版冷却装置；第一掩模版冷却装置包括气体喷射装置，用于喷射气体至掩模版的表面的第一区域；第二掩模版冷却装置包括冷却板和冷却板伸缩装置；冷却板伸...

本发明提供一种测试结构及其形成方法、金属层检测方法，测试结构的第一互连层中的第一金属层与第一介质层一一对应，第一金属层围绕对应的第一介质层设置，第一介质层的顶面低于对应的第一金属层的顶面，不同的第一金属层与对应的第一介质层的顶面面积比例...

本发明提供了一种FinFET器件的制造方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有的鳍片，鳍片上形成有栅极结构，在栅极结构两侧的鳍片中形成有源漏结构；在衬底上形成层间介质层，并在层间介质层中形成暴露源漏结构的第一开口；在第一开口中的源漏结构的表...

本发明公开了一种晶圆夹取装置，包括：夹持臂，所述夹持臂上设有两对卡爪，所述夹持臂用于被操纵置于腔体中的脱离允许运动范围的晶圆上方，所述两对卡爪用于受驱动在所述夹持臂上运动，并分别从两个不同方向对晶圆的侧面进行夹取以拿出。本发明能实现对晶...

本发明提供了一种半导体结构的形成方法及FinFET器件的制造方法，所述形成方法包括：提供一衬底，衬底上形成有多个间隔排列的鳍片；在衬底上形成第一介质层，第一介质层至少填充至多个鳍片的部分高度；在第一介质层上形成图形化的掩模层，图形化的掩...

本发明提供了一种FinFET器件及其制造方法，制造方法包括：提供一衬底；形成多个虚拟栅极，核心区与输入输出区上的虚拟栅极的尺寸相同且间隔相同；在核心区的第一源端及第一漏端之间具有一个虚拟栅极，在输入输出区的第二源端及第二漏端之间具有至少...

本技术公开了一种炉管及薄膜沉积设备，应用于沉积薄膜技术领域，包括晶舟、上部加热器、中上部加热器、主加热器、中下部加热器、下部加热器、第一辅助加热器和第二辅助加热器；其中，第一辅助加热器位于晶舟的上部与晶舟的中部之间；第一辅助加热器沿晶舟...

本发明提供了一种研磨液供应装置、供应方法及研磨系统，供液源用于供应研磨液；抽吸装置用于抽吸研磨液；供液源的输出端连通抽吸装置的输入端；抽吸装置的第一输出端通过回流管道连通供液源的输入端，供液源和抽吸装置之间构成循环管道；抽吸装置的第二输...

本技术公开了一种用于物理气相沉积设备的探测装置，应用于磁控溅镀领域，物理气相沉积设备包括转动机构，转动机构包括动力源部件、磁体，和旋转轴；探测装置包括侦测部件、定位部件和计算部件；动力源部件和磁体之间的旋转轴与定位部件连接，以使定位部件...

本发明公开了一种气体分配盘去水装置及半导体组件生产设备，包括：基体，为中空的壳体；异形夹持组件，设于基体内部并用于夹持气体分配盘；喷气组件，设于基体内部并用于吹扫气体分配盘，喷气组件连接于供气装置，喷气组件包括倾斜喷嘴与水平喷嘴，倾斜喷...

本技术公开了一种研磨液供应装置及研磨系统，应用于晶圆研磨领域，该装置包括：供液桶的出口端与供液泵组件的入口端导通连接；供液泵组件的第一出口端与供液管道导通连接，第二出口端通过循环管道与供液桶的回流入口端导通连接；过滤器设置在供液管道中；...