本发明涉及光刻工艺领域，特别是涉及一种掩模板清洗设备及方法，包括基台、固定组件、清洗组件及移动组件；待清洗掩模板放置于所述基台上，并被所述固定组件固定；所述移动组件用于控制所述清洗组件在所述基台上方移动；所述清洗组件包括清洗杯体、输液管...

本申请公开了一种炉管的进气管道及炉管，属于热处理技术领域，该进气管道包括：进气管道和出气位置调节装置；所述进气管道上设置有进气口和多个出气口；所述出气位置调节装置与所述进气管道连接，用于调节所述出气口处的气体的排出位置，使所述排出位置靠...

本发明涉及光刻设备维护领域，特别是涉及一种沉浸式光刻机浸没罩的污染检测系统、方法及装置。包括超声接收探头及数据处理组件；所述超声接收探头与待检测光刻机的浸没罩接触连接，用于获取所述浸没罩的超声振动信息；所述数据处理组件与所述超声接收探头...

本申请公开了一种升降挡圈及同心校准方法，属于化学机械研磨技术领域，该升降挡圈，包括：升降挡圈本体和距离检测装置；升降挡圈本体在使用时环绕在研磨盘的外侧；升降挡圈本体上沿周向方向设置有至少三个待测位置；距离检测装置设置在升降挡圈本体上，用...

本申请公开了一种热处理装置的进气管道及热处理装置，属于热处理工艺技术领域，该进气管道包括：第一进气管道、第一质量流量控制器和第二进气管道；所述第一进气管道的侧壁上设置有出气孔；所述第一进气管道的一端设置有第一进气口；所述第二进气管道的一...

本实用新型提供了一种晶圆检测系统，包括：触觉传感单元和判断单元，触觉传感单元设置于晶圆承载单元的承载面上或者与承载面相连的侧面上，判断单元与触觉传感单元电性连接，触觉传感单元在与放置的晶圆接触时向判断单元发送检测信号，判断单元获取检测信...

本发明提供了一种晶圆的提取装置，包括旋转台、传动机构和提取架；所述旋转台可转动的位于所述提取架的底部，所述旋转台包括水平部和竖直部，所述水平部上设有支撑件；所述传动机构设于所述提取架上并与所述竖直部连接，用于带动所述旋转台绕所述竖直部的...

本实用新型公开了一种特气供应高压测漏补偿设备，包括钢瓶接头、工艺气出口、吹扫氮气、高压测漏气体、真空产生器气源、排气口、排风口、扩充口和串口。本实用新型与现有技术相比的优点在于：室外硅烷站现场更换特气钢瓶后，需要对钢瓶接口进行高压保压测...

本申请公开了一种保持环的表面形态检测方法、装置及系统，属于芯片制造技术领域，该方法包括：当接收到启动检测的指令时，控制保持环移动，使所述保持环的下方形成检测空间，通过所述检测空间使轮廓传感器扫描所述保持环的表面；获取所述轮廓传感器采集的...

本发明提供一种高动态范围图像传感器的像素结构及图像传感器，所述像素结构包括长曝光像素与短曝光像素，所述长曝光像素包括长曝光光电二极管，所述短曝光像素包括短曝光光电二极管，所述长曝光光电二极管包围所述短曝光光电二极管，使得所述长曝光像素的...

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆烘烤装置及其烘烤方法，晶圆烘烤装置包括：恒温腔室，恒温腔室内填充有预设温度的保护气体；传送机构，包括至少两条竖直设置且同步运动的传送履带，相邻两条传送履带沿周向对应设置有若干支撑臂，且相邻两...

本申请涉及半导体加工领域，公开了一种热量分流组件和半导体设备，包括对称分布的热量分流装置；每个热量分流装置包括主通道和多个支通道，主通道的一个端口用于通入热量，主通道上设置有第一热量出口；支通道设置有热量进口和第二热量出口；热量进口与第...

本发明提供了一种晶圆外观的检测设备，包括固定装置、照明装置、反射装置和图像拾取装置；其中，所述固定装置和所述图像拾取装置相对设置，所述固定装置用于固定晶圆，所述图像拾取装置用于拍摄所述晶圆的表面图像；所述照明装置和所述反射装置均可转动的...

本申请提供的一种掩模版关键尺寸数据分析处理方法及装置，通过对采集获取到掩模版特征图形利用量测设备进行量测，得到该掩模版特征图形在不同灰阶阈值下的关键尺寸数据后，利用同一特征图形关键尺寸数据之间的差值，确定同一特征图形的有效灰阶阈值和光刻...

本发明提供了一种光刻胶图形的形成方法，包括：提供半导体衬底和掩模版，掩模版具有若干凸起的掩模图形；将半导体衬底与掩模版具有掩模图形的一面贴合以形成若干间隙，且将半导体衬底与掩模版置于盛有光刻胶的容器中；执行超声波传导工艺，将超声波传导至...

本申请公开了一种浅沟槽隔离台阶高度控制方法，属于半导体制造领域，该方法一方面通过先对有源区域的二氧化硅进行刻蚀，再去除浅沟槽隔离区域的二氧化硅，代替现有技术中对有源区域和浅沟槽隔离区域的二氧化硅整体进行化学机械研磨，可以避免化学机械研磨...

本申请公开了一种辅助图形添加方法、装置、设备及可读存储介质，属于光学临近效应修正技术领域，该方法包括：根据待OPC修正的目标图形的目标值，确定预设放大值；以设计图形的中心为放大中心，以所述预设放大值对所述设计图形进行放大，得到辅助图形的...

本发明涉及芯片生产领域，特别是涉及一种迭代提速光刻工艺热点检查方法、装置、设备及计算机可读存储介质，包括接收原始芯片版图信息及光刻参数；根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形；根...

本发明公开了一种套刻标记、套刻标记设置方法及套刻量测方法，应用于半导体集成电路制造工艺领域，包括：沿垂直方向设置在多层套刻光刻层中的套刻量测标记，每层套刻光刻层中至少设置一个套刻量测标记；一层套刻光刻层中，套刻量测标记沿一个标准水平坐标...

本发明提供了一种掩模版的制备方法，包括：根据预设掩模版的掩模图案，以逐级放大的方式设计M级掩模图案直至一级掩模图案，M为大于或等于1的整数；采用直写工艺利用一级掩模图案制作一级掩模版；采用光刻工艺，由一级掩模版以逐级缩小的方式制作二级掩...