掩模版关键尺寸数据分析处理方法及装置制造方法及图纸

本申请提供的一种掩模版关键尺寸数据分析处理方法及装置，通过对采集获取到掩模版特征图形利用量测设备进行量测，得到该掩模版特征图形在不同灰阶阈值下的关键尺寸数据后，利用同一特征图形关键尺寸数据之间的差值，确定同一特征图形的有效灰阶阈值和光刻胶形貌信息；使用有效灰阶阈值对应的有效关键尺寸数据和光刻胶形貌对光学临近效应模型进行训练，得到模型后将待处理掩模版图形数据发送至该模型，得到待处理掩模版图形的光刻胶关键尺寸和形貌，能够提升现有模型的拟合精度，同时解决数据利用不全面的问题。数据利用不全面的问题。数据利用不全面的问题。

【技术实现步骤摘要】
掩模版关键尺寸数据分析处理方法及装置


[0001]本申请涉及半导体技术，尤其涉及一种掩模版关键尺寸数据分析处理方法及装置。

技术介绍

[0002]光刻是芯片制造中最为关键的一种工艺，能够通过光刻成像系统，将设计好的图形转移到硅片上。随着芯片尺寸不断缩小，硅片上的曝光图形会产生畸变，因此在90nm甚至180nm以下芯片的光刻制造前，都必须采用一类名为光学临近效应(OPC)的算法模型对曝光图片进行优化，OPC模型的准确性也因此在光刻工艺中具有重要作用。
[0003]目前常规的OPC建模过程，每次的测量图形会只量化成一个数值参与模型的建立，大量的测量图像并没有被充分利用，而且只能得到特征图形在硅片平面内的尺寸信息，而没有垂直方向的形貌信息。且随着光刻工艺的复杂程度和拟合精度要求的提高，需要对量测图像做更细致的数据分析处理以提高数据利用率，并将光刻胶形貌纳入模型。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种掩模版关键尺寸数据分析处理方法及装置，用以解决现有OPC模型中数据利用不完全、拟合精度不高的问题。
>[0005]一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模版关键尺寸数据分析处理方法，其特征在于，包括：采集获取掩模版特征图形，所述掩模版特征图形包括待训练掩模版特征图形与待处理掩模版特征图形；利用量测设备对所述掩模版特征图形进行量测，得到所述掩模版特征图形在不同灰阶阈值下的关键尺寸数据，并计算同一特征图形所述关键尺寸数据之间的差值后，对所述差值进行分析，确定所述同一特征图形的有效灰阶阈值；利用所述待训练掩模版特征图形的有效关键尺寸数据与所述待训练光刻胶形貌对光学临近效应模型进行训练，得到精确光学临近效应模型，所述有效关键尺寸数据为有效灰阶阈值对应的关键尺寸数据；将所述待处理掩模版图形数据发送至所述精确光学临近效应模型，得到与所述待处理掩模版图形相对应的光刻胶关键尺寸和形貌。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述利用量测设备对所述待训练掩模版特征图形进行量测前，包括：对所述待训练掩模版特征图形设定至少两个灰阶阈值，所述灰阶阈值包含一个基准阈值与至少一个普通阈值。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，对所述不同灰阶阈值导致的关键尺寸差值进行分析，确定所述同一特征图形的有效灰阶阈值，包括：确定所述差值是否大于预设差值；若大于，所述同一特征图形的有效灰阶阈值为所述同一特征图形的所有灰阶阈值；若小于等于，所述同一特征图形的有效灰阶阈值为所述同一特征图形的基准阈值。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述利用所述待训练掩模版特征图形的有效关键尺寸数据与所述待训练光刻胶形貌对光学临近效应模型进行训练前，还包括：设置不同灰阶阈值下关键尺寸数据的拟合权重，所述基准阈值下关键尺寸数据的拟合权重大于等于所述普通阈值下关键尺寸数据的拟合权重。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在利用所述待训练掩模版特征图形的有效关键尺寸数据与所述待训练光刻胶形貌对光学临...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘谆骅，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：