一种迭代提速光刻工艺热点检查方法、装置及设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及芯片生产领域，特别是涉及一种迭代提速光刻工艺热点检查方法、装置、设备及计算机可读存储介质，包括接收原始芯片版图信息及光刻参数；根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形；根据所述第一非热点图形确定工艺热点安全库；当接收到迭代芯片版图信息时，根据所述工艺热点安全库对所述迭代芯片版图信息进行过滤，得到过滤版图信息；根据所述光刻参数对所述过滤版图信息进行光刻热点分析，得到第二非热点图形及待仿真的第二热点图形；根据所述第二非热点图形更新所述工艺热点安全库。本发明专利技术在仿真前删掉已经确保安全的区域，使同一光刻条件下的芯片版图的热点查找效率提升。热点查找效率提升。热点查找效率提升。

【技术实现步骤摘要】
一种迭代提速光刻工艺热点检查方法、装置及设备


[0001]本专利技术涉及芯片生产领域，特别是涉及一种迭代提速光刻工艺热点检查方法、装置、设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]芯片设计者与芯片代工厂之间会存在不停数据交换更新及迭代，而实际情况是，设计者通常在迭代的过程中，很少大刀阔斧地进行全局更改，而是只会改动很小的一部分版图。
[0003]热点指光刻工艺生产芯片时可能出现故障的点位，现有的光刻工艺热点查找通常有两种手段，一是每接收一版芯片数据，就对芯片版图进行全局检查，一个点位一个点位地查找可能存在的热点，这种方法虽然能保障不会漏掉热点，但同时也导致热点查找的效率低下，耗时长，拖慢生产效率；第二种方法是预存储高危热点图形，在接到芯片版图后先通过所述高危热点图形查找潜在热点区域，再只针对根据所述高危热点图形筛选出来的热点区域做仿真，这样虽然提升了热点查找效率，但由于所述预存储高危热点图形中不存在的图形不会被筛出来，就导致可能会漏掉某些热点，导致最后芯片生产的成品良品率下降。
[0004]因此，如何找到一种兼顾低热点漏查率与高查找效率的光刻工艺热点检查方法，是本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种迭代提速光刻工艺热点检查方法、装置、设备及计算机可读存储介质，以解决现有技术中低热点漏查率与高查找效率不可兼得的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种迭代提速光刻工艺热点检查方法，包括：
[0007]接收原始芯片版图信息及光刻参数；
[0008]根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形；
[0009]根据所述第一非热点图形确定工艺热点安全库；
[0010]当接收到迭代芯片版图信息时，根据所述工艺热点安全库对所述迭代芯片版图信息进行过滤，得到过滤版图信息；
[0011]根据所述光刻参数对所述过滤版图信息进行光刻热点分析，得到第二非热点图形及待仿真的第二热点图形；
[0012]根据所述第二非热点图形更新所述工艺热点安全库。
[0013]可选地，在所述的迭代提速光刻工艺热点检查方法中，在根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行光刻热点分析之前，还包括：
[0014]根据所述光刻参数确定预设热点安全库；
[0015]根据所述预设热点安全库对所述原始芯片版图信息进行过滤，得到初筛版图信息；
[0016]相应地，所述根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形包括：
[0017]根据所述光刻参数对所述初筛版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形；
[0018]相应地，所述根据所述第一非热点图形确定工艺热点安全库包括：
[0019]根据所述第一非热点图形及所述预设热点安全库确定工艺热点安全库。
[0020]可选地，在所述的迭代提速光刻工艺热点检查方法中，所述根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形包括：
[0021]根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行LFD分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形；
[0022]和/或
[0023]所述根据所述光刻参数对所述过滤版图信息进行光刻热点分析，得到第二非热点图形及待仿真的第二热点图形包括：
[0024]根据所述光刻参数对所述过滤版图信息进行LFD分析，得到第二非热点图形及待仿真的第二热点图形。
[0025]可选地，在所述的迭代提速光刻工艺热点检查方法中，所述根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形包括：
[0026]根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形、待仿真的第一热点图形及与所述第一热点图形对应的第一热点系数；
[0027]根据所述第一非热点图形、所述第一热点图形及所述第一热点系数确定图形化原始芯片热点信息，所述图形化原始芯片热点信息中的所述第一热点图形根据对应的第一热点系数被赋予不同标记；
[0028]和/或
[0029]所述根据所述光刻参数对所述过滤版图信息进行光刻热点分析，得到第二非热点图形及待仿真的第二热点图形包括：
[0030]根据所述光刻参数对所述过滤版图信息进行光刻热点分析，得到第二非热点图形、待仿真的第二热点图形及与所述第二热点图形对应的第二热点系数；
[0031]根据所述第二非热点图形、所述第二热点图形、所述第二热点系数及所述迭代芯片版图信息确定图形化迭代芯片热点信息，所述图形化迭代芯片热点信息中的第二热点图形根据对应的第二热点系数被赋予不同标记。
[0032]一种迭代提速光刻工艺热点检查装置，包括：
[0033]接收模块，用于接收原始芯片版图信息及光刻参数；
[0034]第一仿真模块，用于根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形；
[0035]第一安全库模块，用于根据所述第一非热点图形确定工艺热点安全库；
[0036]安全库过滤模块，用于当接收到迭代芯片版图信息时，根据所述工艺热点安全库对所述迭代芯片版图信息进行过滤，得到过滤版图信息；
[0037]第二仿真模块，用于根据所述光刻参数对所述过滤版图信息进行光刻热点分析，得到第二非热点图形及待仿真的第二热点图形；
[0038]第二安全库模块，用于根据所述第二非热点图形更新所述工艺热点安全库。
[0039]可选地，在所述的迭代提速光刻工艺热点检查装置中，所述第一仿真模块，还包括：
[0040]预设库接收单元，用于根据所述光刻参数确定预设热点安全库；
[0041]初筛单元，用于根据所述预设热点安全库对所述原始芯片版图信息进行过滤，得到初筛版图信息；
[0042]相应地，所述第一仿真模块包括：
[0043]初筛仿真单元，用于根据所述光刻参数对所述初筛版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形；
[0044]相应地，所述第一安全库模块包括：
[0045]初筛安全库单元，用于根据所述第一非热点图形及所述预设热点安全库确定工艺热点安全库。
[0046]可选地，在所述的迭代提速光刻工艺热点检查装置中，所述第一仿真模块包括：
[0047]第一LFD单元，用于根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行LFD分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形；
[0048]和/或
[0049]所述第二仿真模块包括：
[0050]第二LFD单元，用于根据所述光刻参数对所述过滤版图信息进行LFD分析，得到第二非热点图形及待仿真的第二热点图形。
[0051]可选地本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种迭代提速光刻工艺热点检查方法，其特征在于，包括：接收原始芯片版图信息及光刻参数；根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形；根据所述第一非热点图形确定工艺热点安全库；当接收到迭代芯片版图信息时，根据所述工艺热点安全库对所述迭代芯片版图信息进行过滤，得到过滤版图信息；根据所述光刻参数对所述过滤版图信息进行光刻热点分析，得到第二非热点图形及待仿真的第二热点图形；根据所述第二非热点图形更新所述工艺热点安全库。2.如权利要求1所述的迭代提速光刻工艺热点检查方法，其特征在于，在根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行光刻热点分析之前，还包括：根据所述光刻参数确定预设热点安全库；根据所述预设热点安全库对所述原始芯片版图信息进行过滤，得到初筛版图信息；相应地，所述根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形包括：根据所述光刻参数对所述初筛版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形；相应地，所述根据所述第一非热点图形确定工艺热点安全库包括：根据所述第一非热点图形及所述预设热点安全库确定工艺热点安全库。3.如权利要求1所述的迭代提速光刻工艺热点检查方法，其特征在于，所述根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形包括：根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行LFD分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形；和/或所述根据所述光刻参数对所述过滤版图信息进行光刻热点分析，得到第二非热点图形及待仿真的第二热点图形包括：根据所述光刻参数对所述过滤版图信息进行LFD分析，得到第二非热点图形及待仿真的第二热点图形。4.如权利要求1所述的迭代提速光刻工艺热点检查方法，其特征在于，所述根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形及待仿真的第一热点图形包括：根据所述光刻参数对所述原始芯片版图信息进行光刻热点分析，得到第一非热点图形、待仿真的第一热点图形及与所述第一热点图形对应的第一热点系数；根据所述第一非热点图形、所述第一热点图形及所述第一热点系数确定图形化原始芯片热点信息，所述图形化原始芯片热点信息中的所述第一热点图形根据对应的第一热点系数被赋予不同标记；和/或
所述根据所述光刻参数对所述过滤版图信息进行光刻热点分析，得到第二非热点图形及待仿真的第二热点图形包括：根据所述光刻参数对所述过滤版图信息进行光刻热点分析，得到第二非热点图形、待仿真的第二热点图形及与所述第二热点图形对应的第二热点系数；根据所述第二非热点图形、所述第二热点图形、所述第二热点系数及所述迭代芯片版图信息确定图形化迭代芯片热点信息，所述图形化迭代芯片热点信息中的第二热点图形根据对应的第二热点系数被赋予不同标记。5.一种迭代提速光刻工艺热点检查装置，其特征在于，包括：接收模块，用于接收原始芯片版图信息及光刻参数...

【专利技术属性】
技术研发人员：万臻臻，张美丽，周倩，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：