【技术实现步骤摘要】
一种热处理装置的进气管道及热处理装置
[0001]本申请涉及热处理工艺
，特别涉及一种热处理装置的进气管道及热处理装置。
技术介绍
[0002]热处理工艺是半导体行业中常用的沉积技术。当前热处理工艺中使用的热处理装置一般采用通过底部进气管道的进气口通入气体，进气管道靠近晶圆一侧开孔，通过孔进一步将气体通入热处理装置中的通气方式。然而，由于重力及气体由下而上行程的影响，会使得热处理装置中顶部与底部气体浓度存在一定差异，导致沉积结束后晶圆间均匀性降低。现有的解决办法是通过人工提前调试相关参数来维持其稳定性，而这对人员经验要求较高，同时也会对产能产生较大影响。因此，如何改善热处理装置内由于气体浓度的差异导致的晶圆间均匀性不稳定问题，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。
技术实现思路
[0003]本申请的目的是提供一种热处理装置的进气管道及热处理装置，从而改善热处理装置内由于气体浓度的差异导致的晶圆间均匀性不稳定问题。
[0004]为实现上述目的，本申请提供了一种热处理装置的进气管道，包括：第一进气...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种热处理装置的进气管道，其特征在于，包括：第一进气管道、第一质量流量控制器和第二进气管道；所述第一进气管道的侧壁上设置有出气孔；所述第一进气管道的一端设置有第一进气口；所述第二进气管道的一端设置有第二进气口；所述第二进气管道的另一端与所述第一进气管道的另一端连接；所述第二进气口连接所述第一质量流量控制器；所述第一进气管道和所述第二进气管道放置于热处理装置中反应管的内部，且所述第一进气口和所述第二进气口放置在所述反应管的同一进气口。2.根据权利要求1所述的热处理装置的进气管道，其特征在于，所述第二进气管道的管径小于所述第一进气管道的管径。3.根据权利要求2所述的热处理装置的进气管道，其特征在于，所述第二进气管道的管径为2mm
‑
3mm，且包括两端的值；所述第一进气管道的管径为9mm
‑
10mm，且包括两端的值。4.根据权利要求1至3任一项所述的热处理装置的进气管道，其特征在于，所述第二进气管道的另一端与所述第一进气管道的另一端连接后，整体构成倒U型进气管道。5.根据权利要求4所述的热处理装...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈浩，武瑞杰，杜记龙，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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