【技术实现步骤摘要】
一种喷淋组件及薄膜沉积装置
[0001]本技术涉及薄膜沉积领域,尤其涉及一种喷淋组件及薄膜沉积装置。
技术介绍
[0002]薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节,化学气相薄膜沉积设备用于晶圆进行薄膜沉积工艺。喷淋板为化学气相薄膜沉积设备中的一个零部件,其主要用于将外部的反应气体喷洒在晶圆上,以使晶圆表面发生薄膜沉积。
[0003]目前,喷淋板内部的加热元件对反应气体进行加热,使反应气体达到一定的温度。但外部的反应气体经过喷淋板从上直接向下输送,部分反应气体无法有效加热,使得喷淋板喷出的反应气体温度不均匀,而温度不均匀的反应气体喷洒在晶圆上,会影响晶圆的沉积厚度,容易出现厚度不一或其他缺陷。
技术实现思路
[0004]因此,为了解决现有技术中喷淋板喷出的反应气体温度不均匀的情况,从而提供一种喷淋组件及薄膜沉积装置。
[0005]一种喷淋组件,包括:上盖板、引流部、喷淋部以及加热器;
[0006]所述上盖板的中央具有第一进气通道;
[0007]所述引流部位于所述上盖板和所述喷淋部 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种喷淋组件,其特征在于,包括:上盖板(1)、引流部(4)、喷淋部(2)以及加热器(3);所述上盖板(1)的中央具有第一进气通道(12);所述引流部(4)位于所述上盖板(1)和所述喷淋部(2)之间,与所述上盖板(1)共同限定形成预热气流路径(5),所述引流部(4)的中央设有适于让反应气体通过至喷淋部(2)的第二进气通道(41),所述加热器(3)位于所述引流部(4)内,且围绕所述第二进气通道(41)设置;所述预热气流路径(5)位于所述加热器(3)与上盖板(1)之间,且连通所述第一进气通道(12)和所述第二进气通道(41),适于预热从所述第一进气通道(12)至第二进气通道(41)的反应气体。2.根据权利要求1所述的喷淋组件,其特征在于,所述预热气流路径(5)包括引流部(4)与上盖板(1)拼接形成的第一腔室(43),反应气体从所述第一进气通道(12)分散至所述第一腔室(43)。3.根据权利要求2所述的喷淋组件,其特征在于,所述预热气流路径(5)还包括分流槽(44),所述分流槽(44)的两端分别连通所述第一进气通道(12)和所述第一腔室(43)。4.根据权利要求3所述的喷淋组件,其特征在于,所述引流部(4)的上表面与所述上盖板(1)的下表面相互抵接,所述分流槽(44)设置在所述引流部(4)的上表面。5.根据权利要求4所述的喷淋组件,其特征在于,所述第一腔室(43)为环形腔室,其中心位置与所述第一进气通道(12)位置对应。6.根据权利要求5所述的喷淋组件,其特征在于,所述引流部(4)呈板状,所述引流部(4)上表面的边缘与所述上盖板(1)下表面的边缘连接,所述引流部(4)下表面的边缘与所述喷淋部(2)上表面的边缘连接。7.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:李镐赞,
申请(专利权)人:无锡金源半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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