本技术涉及一种喷淋头，包括上盖、分流通道、回流通道、均匀喷淋板，其中，所述上盖上开设有进气孔；所述分流通道开设于所述上盖与所述均匀喷淋板之间，若干所述分流通道分别连通所述进气孔，所述分流通道用于分散所述进气孔中的介质；所述回流通道开设于...

本公开涉及薄膜沉积设备，具体来说，涉及加热盘下翻式腔体结构，包括腔体、上盖板以及下翻板，其中，腔体具有腔室，腔室具有上腔口以及下腔口；上盖板盖合所述上腔口，且上盖板铰接于所述腔体上；下翻板封闭下腔口，且下翻板铰接在所述腔体上；加热盘安装...

本申请涉及薄膜沉积领域，尤其涉及一种双通道喷淋装置及薄膜沉积设备。双通道喷淋装置，包括喷淋板，喷淋板上设置有若干喷淋孔；盖板，盖合于所述喷淋板上，并与喷淋板之间形成喷淋腔室；盖板内还设有加热件和匀气腔室，匀气腔室与喷淋腔室相通；第一进气...

本实用新型涉及薄膜沉积技术领域，公开了多腔体薄膜沉积装置，包括：反应腔体和射频机构，反应腔体设置有多个，射频机构上设有多个射频电源，多个射频电源与多个反应腔体对应设置，多个射频电源与多个反应腔体经连接线对应连接设置，射频机构内还设有控制...

本实用新型提供一种半导体沉积装置，其包括支架、腔体、加热部件和手动驱动机构，其中，腔体具有腔室，腔体设于支架上；加热部件一端设于腔室内，另一端向下延伸出腔体；手动驱动机构包括升降部件和与升降部件配合的转动部件，升降部件可升降地连接于支架...

本实用新型涉及薄膜沉积技术领域，公开了薄膜沉积装置，包括：基架、第一反应腔体和第二反应腔体。第一反应腔体设置在基架上，且第一反应腔体内部留有反应空腔，在反应空腔内可拆卸设置加热盘。第二反应腔体盖设在反应空腔上，第二反应腔体可开合设置在第...

本实用新型公开了一种加热盘及薄膜沉积设备，加热盘包括载台、连接轴以及加热件，载台的任一端面成型为外沿高于中心的凹面结构，连接轴垂直连接于载台另一端面，凹面结构沿连接轴的轴线方向截面为弓形，凹面结构适于承载待加热的晶圆，且与晶圆围合成为工...

本实用新型的喷淋组件和薄膜沉积装置，包括上盖板、引流部、喷淋部以及加热器；所述上盖板的中央具有第一进气通道；所述引流部与所述上盖板共同限定形成预热气流路径，所述引流部底部的中央设有第二进气通道，所述加热器位于所述引流部内，且围绕所述第二...

本发明涉及薄膜沉积技术领域，公开了沉积腔室及具有该沉积腔室的薄膜沉积设备，包括：反应腔体、过渡板和稳流机构，反应腔体内设有腔室，腔室的底部设有排气孔，腔室的底部适于安装加热盘。过渡板靠近腔室的底部设置，且过渡板与腔室底部之间留有第一流通...

本公开的喷淋组件和薄膜沉积装置，包括上盖板、引流部、喷淋部以及加热器；所述上盖板的中央具有第一进气通道；所述引流部与所述上盖板共同限定形成预热气流路径，所述引流部底部的中央设有第二进气通道，所述加热器位于所述引流部内，且围绕所述第二进气...

本发明涉及薄膜沉积设备技术领域，公开了具有加热盘调平功能的薄膜沉积设备，包括：反应室、加热盘、套筒和调平机构，反应室内设有反应腔，加热盘底面设有连接轴，连接轴适于插入密封套的安装孔内。套筒设置在反应室的底部，套筒上开设多个调节孔。调平机...

本实用新型涉及密封装置技术领域，具体涉及一种边缘密封的密封门，包括长方体状的门板和设置在门板上的密封件，门板上设有密封面，密封件为弹性垫，密封件沿着密封面的边缘环绕一圈设置，且密封件粘接在密封面上。本方案中，密封件直接设置在门板的边缘，...

本实用新型涉及密封装置技术领域，具体涉及一种圆形密封门，包括门板和密封件，门板包括密封面，密封面上设置有密封槽，其中，密封槽包括开口和底壁，开口小于底壁，密封件填充在密封槽内，且密封件的部分形状适应于密封槽的形状。密封件为弹性垫，安装密...

本实用新型涉及密封装置技术领域，具体涉及一种密封门，包括门板本体和设置在门板本体上的密封圈，门板本体上设置有连接孔，连接孔贯穿门板本体设置，且连接孔的长度方向与密封圈所在的侧壁平行，连接孔适于容置机械臂上的连接件，门板本体上设置有固定结...