本发明提供一种沟槽式电容器件及制备方法，所述沟槽式电容器件的沟槽电容结构位于沟槽介质层远离所述衬底的一侧，且填充贯穿所述沟槽介质层的第一沟槽，电连接所述第一金属互连层，电容侧墙覆盖所述沟槽电容结构的侧面，电极互连层填充贯穿所述沟槽介质层...

本发明提供一种像素单元结构，利用二极管沟槽隔离结构环绕第一光电二极管的周边和第二光电二极管的周边，有效隔离所述第一光电二极管和所述第二光电二极管器件；同时光电沟槽隔离结构覆盖所述第二光电二极管表面，降低第二光电二极管的灵敏度；在不增加额...

一种基于逆向刻蚀模型确定光学临近修正光刻目标图案的方法，其包括训练集和验证集的生成步骤、在进行模型训练之前将所述第一目标CDSEM图像与所述第二目标CDSEM图像对齐步骤、遍历N组所述第一目标CDSEM图像‑第二目标CDSEM图像数据对...