本申请涉及集成电路制造领域，公开了一种接触孔制作方法和半导体器件，包括：对预制半导体结构件的介质层进行刻蚀；在对应阻挡层的区域，刻蚀停止至阻挡层；在对应金属栅极的区域，刻蚀停止至金属栅极内；预制半导体结构件包括金属栅极、阻挡层以及介质层...

本发明提供了一种晶圆处理方法和晶圆处理装置，所述晶圆处理方法包括以下步骤：S1、在晶圆的表面涂布正性光刻胶；S2、对所述晶圆表面的所述正性光刻胶进行曝光处理；S3、采用负显影液对所述正性光刻胶进行显影处理，以在保留所述晶圆表面边缘区域的...

本发明提供一种辅助定位装置、研磨设备以及研磨垫定位方法，辅助定位装置包括：定位件和辅助定位件；定位件设置于研磨盘的上方，用于在研磨盘上形成定位标志；定位标志用于在更换研磨垫时，实现研磨盘与研磨垫之间的定位；辅助定位件在定位件进行定位的过...

本发明公开了一种滤光膜的制备方法及滤光膜组件，应用于光刻制备领域，包括：在基板上制备待固型滤光膜结构；待固型滤光膜结构为经成型处理后，未进行固型处理的滤光膜；在待固型滤光膜结构暴露的表面设置冷冻保护层，以使待固型滤光膜结构的形状固定，作...

本申请提供了一种顶升装置，应用于半导体工艺设备，所述顶升装置包括：驱动部件、气体管路及顶针；所述顶针的内部沿轴向开设有气体通路；所述气体通路上连通有出气孔；所述出气孔开设在顶针沿周向的侧面；所述顶针设置在卡盘的通孔中；所述驱动部件用于驱...

本发明涉及晶圆处理领域，特别是涉及一种光阻去边系统、方法、装置、设备及介质，包括晶圆取送组件、晶圆定位组件、洗边手臂、手臂控制组件及校正处理器；晶圆取送组件用于承载待处理晶圆并将所述待处理晶圆送至所述洗边手臂的工作位置；所述晶圆定位组件...

本发明公开了一种研磨液供应装置及方法，装置包括依次设于研磨液供应管路上的混液桶和供液桶，所述混液桶设置为受驱动时作轴向旋转，所述混液桶的内侧壁上设有突出的第一搅拌部，用于对旋转时的所述混液桶内的研磨液提供搅拌力，使研磨液中的研磨颗粒处于...

本申请公开了一种基板夹持装置及湿法处理设备；所述基板夹持装置包括：夹具和驱动部件；所述夹具设置在所述驱动部件的上方，并与所述驱动部件连接；所述驱动部件用于驱动所述夹具旋转；所述夹具的内部设置冲洗通道；所述冲洗通道具有至少一个进口和若干出...

本申请涉及半导体元件制造领域，公开了一种金属栅极制作方法，包括：获得预制半导体结构件，预制半导体结构件包括衬底、伪栅和侧壁；去除部分伪栅，得到处理后伪栅；在处理后伪栅和侧壁的表面沉积介质层；刻蚀介质层和位于栅极开口顶端的侧壁，去除侧壁上...

本技术公开了一种晶圆的反应腔室，包括腔体；设于所述腔体内的罩体，所述罩体靠近所述腔体的底部设置并遮挡所述腔体的底部，所述罩体具有倾斜壁和抽吸孔，所述倾斜壁设置在所述罩体的侧表面，所述倾斜壁的高度从所述腔体的边缘至所述腔体的中心方向逐渐增...

本发明涉及半导体工艺领域，特别是涉及一种异丙醇监控组件、监控方法及半导体工艺机台，包括羧基附着层、导电基底及电信号处理终端；所述羧基附着层设置在所述导电基底上，并通过所述导电基底与所述电信号处理终端电连接；所述羧基附着层的表面包括活性羧...

本申请公开了一种铜互连介质层结构制备方法及铜互连介质层结构，属于集成电路制造技术领域，该方法包括：在衬底表面沉积保护层，以保护预先沉积的铜互连介质层结构中的铜；在所述保护层表面沉积非晶氮化硼膜层作为超低介电常数介质层，以制成所述铜互连介...

本申请公开了一种验证方法、装置、设备及可读存储介质，方法包括：对目标非曼哈顿图形进行圆角化处理，生成参考图形；对目标非曼哈顿图形进行光学临近效应修正，生成掩膜图形；利用掩膜图形进行晶圆成型模拟，生成模拟图形；将参考图形与模拟图形比较，获...

本申请涉及半导体领域，公开了一种半导体设备及其管体，管体内部为中空，管体内部用于容纳晶圆；管体的横截面面积由第一端至第二端逐渐增大，所述管体侧壁与水平面具有夹角；第一端为气体进入管体的一端，第二端为气体流出管体的一端，在管体垂直方向上，...

本技术公开了一种用于支撑晶圆的承托边环结构及热处理装置，涉及晶圆快速热处理技术领域，包括：承托边环本体，承托边环本体包括第一边环和套设于第一边环外侧的第二边环，第一边环与第二边环通过连接部连接，第一边环设置有用于支撑晶圆的支撑面，且第一...

本技术公开了一种微影装置，应用于半导体技术领域，包括：光学镜片、分束装置和光谱带宽探测器；沿激光传输方向光谱带宽探测器位于光学镜片的后面；沿激光传输方向分束装置位于光谱带宽探测器和光学镜片之间，以将激光划分为第一激光束和第二激光束，第一...

本发明公开了一种基底切边控制系统、基底切边系统及基底切边方法，基底切边控制系统包括：反馈单元以及与反馈单元通信连接的电流监测单元和转速控制单元；电流监测单元用于采集刀头电机的电流；反馈单元用于判断刀头电机的电流是否超出预设阈值，若超出，...

本申请涉及半导体领域，公开了一种掩模交接装置和机台，包括掩模抓取部件和冷却部件；所述掩模抓取部件用于从掩模传输装置中抓取掩模；所述冷却部件设置在所述掩模抓取部件与掩模接触的表面上。本申请中掩模交接装置包括掩模抓取部件和冷却部件，掩模抓取...

本发明提供了一种控片使用方法、应用系统、设备及计算机可读存储介质，所述控片使用方法包括对若干控片生成批号，所述批号包括母批号和子批号，且一个所述母批号对应若干所述子批号，根据所述母批号和所述子批号分派所述控片，获取所述子批号数量小于监控...

本发明涉及半导体生产领域，特别是涉及一种晶圆缺陷检测设备及方法，包括检测光源及反射光检测组件；所述检测光源与所述反射光检测组件以所述检测光源的出射光在所述待检晶圆的落点处的法线为对称轴线对称；所述检测光源的出射光到达待检晶圆的表面，并经...