本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种一维线状离子束扫描装置及其控制方法，包括离子束源、控制器及两个相对设置的极板；所述离子束源设置于两个所述极板之间，用于发射原始离子束；所述原始离子束穿过两个所述极板之间；所述极板包括电磁铁，两个...

本发明公开了一种研磨垫更换装置、更换方法及研磨台设备，研磨垫更换装置包括：下研磨台，下研磨台具有容纳腔；上研磨台，设置于下研磨台的上部，以形成完整的研磨台结构；供膜装置，设置于容纳腔中，用于提供待贴敷的研磨垫；第一移动装置，用于控制上研...

本发明提供了一种嵌入式锗硅器件及其制备方法，所述嵌入式锗硅器件及包括：衬底，所述衬底上设有栅极结构；源漏沟槽，设于所述栅极结构两侧的衬底中；锗硅结构，设于所述源漏沟槽内，且掺杂有P型离子；其中，所述源漏沟槽的内壁掺杂碳，用以抑制所述P型...

本发明公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，应用于半导体器件技术领域，包括获取半导体结构；刻蚀光阻，暴露出预设高度的侧墙；根据预设刻蚀时间对暴露侧墙的半导体结构进行刻蚀，至第二型晶体管的伪栅极顶部残留有部分硬掩膜；基于经过刻蚀的半...

本发明提供了一种晶圆清洗液输送管用的静电测量及去除系统、晶圆清洗装置及其静电去除系统，其包括：接地组件，包括导电相连的接地探针和接地单元，所述接地探针置于晶圆清洗液输送管内且位于清洗液流动方向的上游，所述接地单元位于晶圆清洗液输送管外部...

本发明涉及套刻校准领域，特别是涉及一种基于前馈补偿的套刻方法、装置、设备及介质，通过获取当层在前批次对应的反馈补偿子处方、所述当层对应的前层套刻子处方、当层光刻机漂移子处方及前层光刻机漂移子处方；将所述反馈补偿子处方与所述当层光刻机漂移...

本发明提供了一种化学机械研磨设备用的气泡定位装置及定位方法，化学机械研磨设备包括研磨盘以及粘接在研磨盘上的研磨垫，气泡定位装置用于定位研磨垫与研磨盘间的气泡位置，气泡定位装置包括：发光设备，用于射出检测光，检测光沿研磨垫的表面延伸；视觉...

本发明提供了一种真空吸盘及机械手，所述真空吸盘的盘体上设有真空吸附腔以及泄压槽，所述盘体的一侧设有与所述真空吸附腔连通的气孔，所述盘体的另一侧为吸附面，所述泄压槽位于所述吸附面上且与所述真空吸附腔相通；所述真空吸盘上还设有气密结构，所述...

本申请涉及半导体领域，公开了冗余金属填充优化方法、装置、电子设备和可读存储介质，包括：步骤S101：获取待填充版图，待填充版图包括可填充金属区域和划分的多个大小相同的窗口区域；步骤S102：在可填充金属区域内填充冗余金属，得到填充后版图...

本申请涉及半导体领域，公开了一种冗余金属填充方法、装置、电子设备和可读存储介质，包括：获取待填充版图，待填充版图包括第一密度区域和第二密度区域；第一密度区域的逻辑金属图形密度大于第二密度区域的逻辑金属图形密度；对第一密度区域填充第一冗余...

本发明公开了一种金属栅极填充金属铝的温度稳定性的监控方法及装置，应用于半导体制备领域，该方法包括：获取标准叠层电阻值，若校验标准叠层电阻值合理，则将标准叠层电阻值作为第一标准叠层电阻值；第一标准叠层电阻值为工艺温度是第一预设温度时，对应...

本发明提供一种沟槽隔离结构及其制备方法，其中沟槽隔离结构的制备方法包括：提供一基底；在基底的表面自下而上依次沉积隔离氧化层、硬掩膜层和光刻层；图形化光刻层，以图形化的光刻层为掩膜对硬掩膜层和隔离氧化层刻蚀，在基底上形成多个氧化物沟槽，且...

本发明提供一种沟槽、锗硅外延层及PMOS器件的形成方法，其中，沟槽的形成方法包括：提供一基底；对基底进行干法刻蚀以形成一沟槽；以及，对基底进行湿法刻蚀以对沟槽进行调整，在湿法刻蚀过程中，对湿法刻蚀的工艺条件进行调整。通过在湿法刻蚀的过程...

本技术提供一种尾气排放装置，装置包括防倒灌管路、冷凝器和控压阀，防倒灌管路用于通过排气管路连接至抽负压装置，冷凝器的进气端用于通过第一管路连接至工艺腔室，冷凝器的出气端通过第二管路连接至防倒灌管路，控压阀设置在第二管路上。如此，本技术通...

本发明提供了一种样品的前处理方法，所述前处理方法包括以下步骤：步骤S1：提供表面具有目标结构的样品；步骤S2：在样品的表面形成流动的保护层；步骤S3：使样品围绕第一转动中心进行公转，同时使样品进行自转，以使保护层在样品的表面上分布均匀，...

本发明提供了一种多晶圆堆叠边缘处理方法，包括：提供待依次键合的第1片至第N片晶圆；对第2片晶圆和第1片晶圆进行切割和键合，以在第2片晶圆和第1片晶圆的边缘形成台阶，并在台阶上形成第一氧化层且第一氧化层的顶部与第2片晶圆的顶部齐平；对第i...

本技术提供一种外延装置及其硅片承载结构，硅片承载结构包括基座、支撑组件和第一耐温层，基座具有受热面；支撑组件沿受热面的法向于受热面上的投影区域包括第一投影和多个第二投影，第二投影和第一投影相连，且多个第二投影围绕第一投影周向间隔地排布；...

本发明提供了一种薄膜沉积设备及NMOS器件的制作方法，属于半导体领域。该薄膜沉积设备包括外壳，具有溅射腔室。靶材，与所述基板相对设置，所述靶材包括第一溅射材料和第二溅射材料，所述第一溅射材料和第二溅射材料的原子量不同。射频电源，用于产生...

本发明提供了一种芯片的前处理方法，包括以下步骤：提供芯片截面；将所述芯片截面置于稀氢氟酸处理液中进行微刻蚀处理后以得到微刻蚀的芯片截面；使用超纯水对所述微刻蚀的芯片截面进行第一清洁处理以去除残留在所述微刻蚀的芯片截面上的稀氢氟酸处理液，...

本发明公开了一种栅极金属填充方法，应用于半导体制备领域，包括：在栅极金属填充区域填充有伪多晶硅的器件中，刻蚀预设高度的伪多晶硅和预设高度的侧墙至平齐，作为待成型栅极金属的器件；在待成型栅极金属的器件中开设有栅极金属填充区域的表面制备待刻...