【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片清洗工艺，尤其涉及一种芯片的前处理方法。
技术介绍
1、芯片截面在进行显微观察前需要对其进行前处理，现有的前处理方法包括使用缓冲氧化物蚀刻液或反应离子蚀刻机对芯片的截面进行前处理。缓冲氧化物蚀刻液(英文名称为：buffered oxide etch，英文简称为boe)由氢氟酸(49％)与水或氟化铵与水混合而成，boe为混合物且配制流程复杂，对芯片的截面进行前处理时所需的浓度和时间需要进行优化，同时反应产生的硅酸盐结晶由于是难溶性物质会粘附残留在芯片截面上，从而影响观测到的芯片截面的形貌品质。反应离子蚀刻机的选择比一般，需要适配的夹具以夹住芯片的截面，操作复杂，耗时相对较长，设备成本较高。
2、因此，有必要开发一种芯片的前处理方法以解决现有技术中存在的上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种芯片的前处理方法，解决了现有技术中芯片截面的不同材质层边界线的呈像效果不佳的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种芯片的前处理方法，经...
【技术保护点】
1.一种芯片的前处理方法，其特征在于，经过前处理方法处理后的芯片用于显微观察，所述芯片的前处理方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的芯片的前处理方法，其特征在于，所述稀氢氟酸处理液的浓度为1％-10％。
3.根据权利要求1所述的芯片的前处理方法，其特征在于，所述微刻蚀处理的温度为20-25摄氏度，所述微刻蚀处理的时间为2-20秒。
4.根据权利要求1所述的芯片的前处理方法，其特征在于，所述第一清洁处理的温度为20-25摄氏度，所述第一清洁处理的时间为10-30秒。
5.根据权利要求1所述的芯片的前处理方法，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种芯片的前处理方法，其特征在于，经过前处理方法处理后的芯片用于显微观察，所述芯片的前处理方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的芯片的前处理方法，其特征在于，所述稀氢氟酸处理液的浓度为1％-10％。
3.根据权利要求1所述的芯片的前处理方法，其特征在于，所述微刻蚀处理的温度为20-25摄氏度，所述微刻蚀处理的时间为2-20秒。
4.根据权利要求1所述的芯片的前处理方法，其特征在于，所述第一清洁处理的温度为20-25摄氏度，所述第一清洁处理的时间为10-30秒。
5.根据权利要求1所述的芯片的前处理方法，其特征在于，还包括以下...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐峰，叶红波，吴大海，朱子轩，苟元华，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。