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本发明提供了一种芯片的前处理方法,包括以下步骤:提供芯片截面;将所述芯片截面置于稀氢氟酸处理液中进行微刻蚀处理后以得到微刻蚀的芯片截面;使用超纯水对所述微刻蚀的芯片截面进行第一清洁处理以去除残留在所述微刻蚀的芯片截面上的稀氢氟酸处理液,得到...该专利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种芯片的前处理方法,包括以下步骤:提供芯片截面;将所述芯片截面置于稀氢氟酸处理液中进行微刻蚀处理后以得到微刻蚀的芯片截面;使用超纯水对所述微刻蚀的芯片截面进行第一清洁处理以去除残留在所述微刻蚀的芯片截面上的稀氢氟酸处理液,得到...