本发明涉及光掩模生产领域，特别是涉及一种光掩模颗粒清洗方法及装置，通过在待处理光掩模上设置光刻胶涂层；对所述光刻胶涂层进行固化处理，得到光刻胶固定层；去胶清洗所述待处理光掩模，去除所述光刻胶固定层，得到胶净光掩模。本发明利用光刻胶的粘黏...

本发明公开了一种光刻胶的去胶方法，包括：提供表面设有金属层的处理对象；通过光刻和刻蚀，形成贯通所述金属层的开口图形；使用第一处理方法，在对所述金属层不产生刻蚀和氧化作用的情况下，对刻蚀后位于所述金属层上的光刻胶进行第一时间的第一次去除处...

本发明涉及光掩模生产领域，特别是涉及一种光掩模修补方法及装置，通过扫描待处理光掩模，得到光掩模图像信息；根据所述光掩模图像信息，确定风险颗粒缺陷；根据预设的寻址规则，确定各个所述风险颗粒缺陷对应的蚀刻区域；所述蚀刻区域位于所述风险颗粒缺...

本发明涉及半导体微影技术领域，特别是涉及一种微影修正方法、装置、设备及介质，通过获取待校指令；根据所述待校指令对压感晶圆进行实验微影；所述压感晶圆表面包括压力传感器阵列；从所述压感晶圆接收液场压力数据；根据所述液场压力数据对所述待校指令...

本发明提供了一种高阻电阻结构及其设计方法，包括：提供伪多晶硅层的初始版图数据；根据伪多晶硅层生成对应的金属高阻层，且金属高阻层位于覆盖伪多晶硅层的绝缘介质层上；筛选金属高阻层中版图面积大于或等于预设数值的金属电阻作为第一金属电阻，并将第...

本发明提供一种扫描透射电子显微镜样品的分析方法，通过将扫描透射电子显微镜的电子束入射至待测样品，以形成校正参考标记，校正参考标记与目标分析区域之间具有预定的间隔距离，且待测样品的表征图像中的校正参考标记与目标分析区域的图像衬度不同；如此...

本发明提供了一种废气处理设备，涉及废气处理技术领域，本申请的废气处理设备，设置有水位监测装置，该水位监测装置包括连接件、水位监测管和可控开关。其中，连接件包括连通水位监测管和水箱的第一通路，以及连通水位监测管和氮气管路的第二通路，该氮气...

本发明提供一种控挡片及其制造方法、干法刻蚀方法，控挡片上形成有图形化的氧化层，图形化的氧化层暴露出控挡片的部分表面，图形化的氧化层的材质与产品片中的待刻蚀膜层的材质相同，在刻蚀过程中将产品片和控挡片置于干法刻蚀机台的工艺腔内，并执行干法...

本发明涉及晶圆微影技术领域，特别是涉及一种应用于微影制程的机台及应用于微影制程的机台搜零方法，包括晶圆工件台及测量位光栅平面；所述晶圆工件台的至少三个角上设置有读头；所述测量位光栅平面包括相位差分光栅及多组零位光栅；每个所述读头对应一组...

本技术公开了一种排气管路及工艺腔室，包括：排气口，设于工艺腔室的一侧侧壁上，所述排气口包括分别位于所述侧壁的内表面和外表面的排气内口和排气外口，在水平投影方向上，所述排气口具有自所述排气内口向所述排气外口逐渐收缩的第一排气口径。本技术能...

本申请公开了一种薄膜成膜初始方阻量测方法、系统、设备及存储介质，属于电阻测量技术领域，该方法包括：建立薄膜的初始方阻、成膜时刻到量测时刻的间隔时间和量测时刻的方阻量测值的理论关系式；获取待测薄膜的成膜时刻到预设量测时刻的间隔时间和预设量...

本申请公开了一种光掩模修补方法及光掩模，属于半导体技术领域，该方法包括：确定待修补的线条的待去除区域沿线条的长度方向的第一边界和第二边界，使待去除区域包括缺陷区域和非缺陷区域；去除第一边界和第二边界之间非缺陷区域的线条，形成断线缺陷区域...

本发明涉及半导体套刻领域，特别是涉及一种套刻对准的预调方法、装置、设备、介质及新型机台，通过向氙灯发送多个工作指令信号；接收所述目标对准层对应不同波长的出射光反射的标识区图像；确定各个所述标识区图像对应的清晰度；将所述清晰度最高的标识区...

本技术公开了一种湿法清洗装置，包括：设于腔体中的转台和围绕所述转台设置的槽体，以及设于所述槽体上的超声振荡模块；所述槽体用于装载循环流动的介质液体，并在进行清洗工艺之前，使所述介质液体的液面上升至将放置在所述转台顶部上的处理对象浸没；所...

本申请公开了一种晶圆吸盘及机台，属于半导体技术领域，该晶圆吸盘在中间区域和边缘区域分别设置第一半导体控温器件阵列和第二半导体控温器件阵列，采用的半导体控温器件基于帕尔贴效应进行控温，控温响应快，约5s达到稳态，控温精度高，可达到+/‑1...

本申请公开了一种光掩模修补方法及光掩模，属于半导体技术领域，该方法包括：确定光掩模背离保护膜的表面的待修补区域；待修补区域与光掩模内部遮光层的缺陷区域对应；在待修补区域沉积遮光膜，以遮挡从保护膜的表面射入遮光层的缺陷区域后穿透透明基板的...

本发明提供一种半导体互连结构的制备方法，通过对金属种子层的表面进行钝化处理，可以在沟槽上部侧壁的金属种子层的表面和介质层顶部的金属种子层的表面形成钝化层，在后续执行电镀工艺时，钝化层表面不会形成金属层，可降低沟槽上部侧壁的金属层的形成速...

本发明涉及套刻工艺领域，特别是涉及一种套刻误差监控方法、装置、设备及介质，通过获取量测程式运行参数；确定所述量测程式运行参数对应的数据类别；根据所述数据类别在预存储的规范运行数据库中确定对应的统计目标范围；判断所述量测程式运行参数是否超...

本发明公开了一种改进外延工艺片内均一性的基座和方法及外延设备，基座包括：本体，所述本体的表面上设有凹槽，所述凹槽以外的所述本体的表面具有对加热光照形成漫反射的形貌，能提高对光照热量的吸收能力，在将处理对象放置在所述凹槽中进行外延工艺时，...

本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，其包括形成有第一栅极结构的第一区及形成有第二栅极结构的第二区，第一栅极结构及第二栅极结构的顶部均设有硬掩模层；在第一栅极结构两侧的衬底中形成外延结构；形成刻蚀停止层覆盖衬底的表面、第...