【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光掩模生产领域，特别是涉及一种光掩模修补方法及装置。
技术介绍
1、在光掩模生产的过程中，掩模板上通常会出现许多颗粒状缺陷，这些缺陷可能是前期可是过程中留下的微粒，也可能是外来的灰尘等，这些缺陷会覆盖已经初步完成图形化的光掩模上的图案，进而导致光掩模的质量下降，因此需要通过后续技术手段的处理对上述颗粒状缺陷进行去除。
2、随着光掩模制程节点不断提升，光掩模的关键尺寸不断减小，但颗粒缺陷的大小却不会随着制程的提升而减小，所以在越高端的光掩模上，颗粒缺陷相对于光掩模的图案越来越大，颗粒缺陷的边界也会更接近填充材料图形，甚至与填充材料图形重合。目前，光掩模上的填充材料图形边缘的颗粒型缺陷通常用聚集电子束配合二氟化氙进行刻蚀修补(所述刻蚀修补指对光掩模进行修补，具体操作为去除光掩模上的颗粒缺陷)，，而在光掩模上进行刻蚀去除时，颗粒缺陷越接近填充材料图形，填充材料图形的边缘更容易被刻蚀过程中的粒子流溅射到，这使得颗粒缺陷的修补经常会伤及正常的图形，修补难度大大增加，更进一步，当颗粒缺陷尺寸逐渐接近最小线宽的尺寸时，孔洞型...
【技术保护点】
1.一种光掩模修补方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光掩模修补方法，其特征在于，在对所述蚀刻区域进行刻蚀，得到收容豁口之前，还包括：
3.如权利要求2所述的光掩模修补方法，其特征在于，所述第一倍数的范围为3倍至4倍，包括端点值。
4.如权利要求1所述的光掩模修补方法，其特征在于，所述根据预设的寻址规则，确定各个所述风险颗粒缺陷对应的蚀刻区域包括：
5.如权利要求1所述的光掩模修补方法，其特征在于，所述对所述收容豁口进行修补包括：
6.如权利要求5所述的光掩模修补方法，其特征在于，所述对所述收容豁
【技术特征摘要】
1.一种光掩模修补方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光掩模修补方法，其特征在于，在对所述蚀刻区域进行刻蚀，得到收容豁口之前，还包括：
3.如权利要求2所述的光掩模修补方法，其特征在于，所述第一倍数的范围为3倍至4倍，包括端点值。
4.如权利要求1所述的光掩模修补方法，其特征在于，所述根据预设的寻址规则，确定各个所述风险颗粒缺陷对应的蚀刻区域包括：
5.如权利要求1所述的光掩模修补方法，其特征在于，所述对所述收容豁口进行修补包括：
6.如权利要求5所述的光掩模...
【专利技术属性】
技术研发人员：张健澄，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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