一种高分子化合物包覆的光掩膜制造技术

技术编号:45542227 阅读:20 留言:0更新日期:2025-06-13 17:46
本发明专利技术提供一种高分子化合物包覆的光掩膜,包括透明基板,透明基板包括中间区域和环绕中间区域的边缘区域;线路图形,位于透明基板的中间区域,为不透光材料形成的几何图案,用于定义半导体器件的电路结构;膜框,粘附于透明基板边缘区域的环形框架,环形框架包围线路图形形成密闭空间,膜框上涂敷有一层或多层含氟高分子涂胶,用于阻隔硫酸根和铵根的释放;保护膜,覆盖于膜框,与膜框形成密闭空间,用于隔离线路图形和外部环境。本发明专利技术通过在膜框表面包覆含氟高分子材料,有效阻隔硫酸根和铵根的释放,从而抑制雾状物的产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体掩膜板材料领域,尤其涉及一种高分子化合物包覆的光掩膜


技术介绍

1、在半导体制造领域,光掩膜作为光刻工艺的关键元件,其成品结构由光掩膜本身以及紧密贴附其上的保护框膜共同构成。在当前高端光掩膜板的生产制造环节,必须极力避免硫酸根及铵根的残留情况出现。这是因为,在后端掩膜板投入使用的过程中,随着使用次数的不断增加,这些残留的硫酸根和铵根会发生光化反应,逐渐转化为雾状物,并逐渐聚集在光掩膜的图形之上。如图1所示,可以清晰看到光掩膜雾状物生成。而这些雾状物的存在,会严重破坏掩膜板的线路结构,导致线路短路故障的发生,最终使得大量芯片因无法正常工作而报废,给半导体制造企业带来巨大的经济损失。

2、深入探究其原因,在光掩膜的制造过程中,光掩膜本体和保护框膜都存在硫酸根(so42-)和铵根(nh4+)离子残留的风险。就光掩膜本体而言,在蚀刻工序中,所使用的硫酸基溶液会不可避免地在其表面留下残留。在蚀刻过程中,硫酸基溶液与光掩膜本体的材料发生化学反应,部分硫酸根离子会嵌入到材料的微观结构中,后续常规的清洗操作很难将其完全清除。

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【技术保护点】

1.一种高分子化合物包覆的光掩膜,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的高分子化合物包覆的光掩膜,其特征在于,还包括贴合胶层,用于将所述膜框固定在所述透明基板上以及将所述保护膜固定在所述膜框上。

3.根据权利要求1所述的高分子化合物包覆的光掩膜,其特征在于,所述含氟高分子涂胶为:

4.根据权利要求1所述的高分子化合物包覆的光掩膜框,其特征在于,所述膜框为铝制。

5.根据权利要求1所述的高分子化合物包覆的光掩膜,其特征在于,所述含氟高分子涂胶包括聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、含氟丙烯酸酯或其他任意含氟比例高于20%的高分子涂胶。

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【技术特征摘要】

1.一种高分子化合物包覆的光掩膜,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的高分子化合物包覆的光掩膜,其特征在于,还包括贴合胶层,用于将所述膜框固定在所述透明基板上以及将所述保护膜固定在所述膜框上。

3.根据权利要求1所述的高分子化合物包覆的光掩膜,其特征在于,所述含氟高分子涂胶为:

4.根据权利要求1所述的高分子化合物包覆的光掩膜框,其特征在于,所述膜框为铝制。

5.根据权利要求1所述的高分子化合...

【专利技术属性】
技术研发人员:李佳珍黄文杰
申请(专利权)人:绍兴芯链半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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