本发明公开了一种改善铜电镀空洞缺陷的管控方法，包括在采用试验晶圆以纵向入水方式进入镀液的过程中，当恒定电势阶段完成后，进行逐渐缩短恒定电流阶段的设定时间的试验，获取试验晶圆先入水的一侧上不发生铜电镀空洞缺陷时对应的恒定电流阶段的极限时间...

本发明提供一种外延结构及其形成方法，通过在沟槽底部形成SiAs外延层，以阻挡磷元素向衬底扩散，同时，沟槽侧壁没有SiAs外延层或者形成的SiAs外延层相对较薄，不会影响磷元素向沟道的横向扩散，从而可以提高器件性能。

本申请涉及半导体集成电路制造装备领域，公开了一种光阻喷头装配工具和光刻系统，包括：用于容纳光阻喷头的工具主体，包括至少两个套设并连接的装配单元体；摩擦结构，位于相邻两个装配单元体之间；连接部件，与底部的装配单元体的内壁连接；具有刻度的旋...

本技术提供了一种晶舟及立式炉管，所述晶舟包括底座；第一承载组件，设于所述底座，所述第一承载组件沿其轴向间隔的设置有若干第一承载件，所述第一承载件用于承载具有第一深宽比结构的晶圆；第二承载组件活动设于所述底座并靠近所述第一承载组件，所述第...

本发明提供了一种晶圆解键合方法和晶圆解键合装置，涉及半导体设备技术领域，提供待解键合晶圆，所述待解键合晶圆包括相贴合的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆之间形成所述待解键合晶圆的键合层，卡盘组件吸附所述待解键合晶圆；利用喷头...

本技术提供了一种研磨液检测设备及研磨液供液系统，其中，研磨液检测设备包括检测单元、数据处理单元和连接管；连接管的一端与所述检测单元连接，所述检测单元用于对研磨液内的研磨颗粒进行检测，得到检测数据；所述数据处理单元与所述检测单元电连接，用...

本技术提供了一种气相沉积设备及半导体加工系统，属于半导体制造技术领域，气相沉积设备包括基座、中心遮挡部、至少一遮蔽环和驱动结构，基座用于承载衬底，中心遮挡部设置于基座的上方，用于遮挡衬底的中部，遮蔽环用于嵌套于中心遮挡部的边缘，与中心遮...

本发明提供了一种晶圆清洗设备及清洗方法，其中晶圆清洗设备包括：旋转机构，用于承载晶圆并可带动晶圆转动；清洗机构用于对晶圆的表面进行清洗；电场单元用于在晶圆的表面附近形成正电场或负电场；当晶圆表面残留酸性的研磨液时，清洗机构对晶圆的表面进...

本申请提供一种晶圆测试数据可视化方法、装置、设备及介质，可用于半导体技术领域。在该方法中，通过对多个晶圆进行晶圆测试，晶圆测试中包括依次进行的多个测试项。进而对于每个测试项，可确定出多个晶圆中相同的芯片位置的测试未通过次数；进而转化为对...

本申请提供一种芯片质量的影响因素确定方法、装置、设备及介质，可用于半导体技术领域。在该方法中，通过对获取到的对晶圆进行恶化实验前进行晶圆测试的第一测试数据进行处理，得到第一测试结果，对获取到的对晶圆进行恶化实验后进行晶圆测试的第二测试数...

本技术公开了一种排气管路装置及半导体工艺设备，装置包括：排气管，用于将半导体工艺设备排出的尾气输送至尾气处理设备；绝缘罩体，罩设于所述排气管外部，在所述罩体的内壁与所述排气管的外壁之间形成密闭空腔；压力检测模块，用于检测所述空腔内的气压...

本技术提供了一种晶圆承载组件及晶圆抛光系统，晶圆承载组件包括壳体、承载座以及超声波发生装置，所述壳体具有用于盛放清洗液的容纳腔，所述承载座设置于所述壳体内，所述承载座用于承载晶圆，所述超声波发生装置用于在所述壳体内的清洗液中产生超声波，...

本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底；在衬底中和衬底上形成MOS结构，并在MOS结构上形成互连结构层，互连结构层与MOS结构电性连接；通过互连结构层测量获得MOS结构的测量阈值电压，根据测量阈值电压和一目标阈值电压的差值...

本技术提供了一种物理气相沉积装置，包括：腔体，具有进气通道和排气通道，所述进气通道和所述排气通道均与所述腔体导通；设于所述腔体内的承载件，所述承载件用于承载晶圆；设于所述腔体内的导流件，所述导流件环绕所述承载件设置，所述导流件开设有导流...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括衬底，衬底中形成有源区和漏区；栅极结构，形成于源区与漏区之间的衬底上；第一侧墙，覆盖栅极结构的侧壁；第二侧墙，覆盖第一侧墙的侧壁；自对准金属硅化物层，至少形成于源区和漏区上，自对准金属...

本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，其上包括第一栅极结构及第一源漏区域；对第一源漏区域执行轻掺杂工艺，轻掺杂工艺后的第一源漏区域上形成有第一氧化层；采用湿法工艺去除第一氧化层，以暴露半导体衬底的表面；执行氧化工艺...

本发明提供了一种多层电容器结构及其制造方法，所述多层电容器结构包括：衬底；由电极材料层和介电材料层交替形成的堆叠体，多个电极材料层包括依次交替设置的第一电极及第二电极；至少部分贯穿堆叠体的第一电极孔，其内交替设有第一导体和第一间隔，各第...

本发明涉及传感器技术领域，公开了一种调焦调平传感器及其工作方法、电子设备，包括：激光组件、控制器和探测器；激光组件包括透镜、多重滤光器和光纤线路；控制器，用于根据晶圆表面膜层的当前膜厚数据，确定目标波长；透镜，用于汇聚激光束；多重滤光器...

本发明提供了一种SAB光罩及改善金属栅极器件的颗粒缺陷的方法，所述方法包括：提供衬底，其上覆盖有伪多晶硅材料层；对伪多晶硅材料层执行光刻工艺及刻蚀工艺以形成伪多晶硅栅，并在衬底的划片道上形成伪多晶硅栅的套刻标记；形成SAB层覆盖衬底的部...

本发明公开了一种传输控制装置和方法及传输系统，传输控制装置包括：设于传输工具上的振动源；所述传输工具用于通过真空作用吸附处理对象，以将所述处理对象吸附传输至存放模块中，并在解吸附后，将所述处理对象放落以存放；所述振动源用于受控在解吸附前...