【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工设备,尤其涉及一种物理气相沉积装置。
技术介绍
1、薄膜沉积技术是一种将物质沉积在基底表面形成薄膜的工艺方法,常用于制备各种材料的薄膜,比如:通过薄膜沉积技术可以在晶圆上形成薄膜或涂层,用于提高晶圆的性能。
2、现有的腔体内,排气件的设置在静电吸盘的一侧,当通过排气件将反应气体排出时,会导致腔体内的气流分布不均匀,从而影响到晶圆表面镀膜的均匀性。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种物理气相沉积装置,解决了反应气体排出时反应腔体内部气流分布不均匀的问题,提高了晶圆表面镀膜的均匀性。
2、为实现上述目的,第一方面,本技术提供了一种物理气相沉积装置,包括:
3、腔体,具有进气通道和排气通道,所述进气通道和所述排气通道均与所述腔体导通;
4、设于所述腔体内的承载件,所述承载件用于承载晶圆;
5、设于所述腔体内的导流件,所述导流件环绕所述承载件设置,所述导流件开设有导流通道,所述导流通道与所述排气通道连通。
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【技术保护点】
1.一种物理气相沉积装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述导流件呈圆环形结构,所述导流件与所述承载件配合可将所述腔体分隔成反应腔和排气腔,所述导流件上开设有若干导气孔,所述导气孔贯穿所述导流件并与所述导流通道连通,以使所述反应腔和所述排气腔连通;
3.根据权利要求2所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述排气通道位于所述承载件的一侧;
4.根据权利要求2或3所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述导气孔具有第一端口和第二端口,所述第一端口和所述第二端口分别位于所述导气孔的两端;
< ...【技术特征摘要】
1.一种物理气相沉积装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述导流件呈圆环形结构,所述导流件与所述承载件配合可将所述腔体分隔成反应腔和排气腔,所述导流件上开设有若干导气孔,所述导气孔贯穿所述导流件并与所述导流通道连通,以使所述反应腔和所述排气腔连通;
3.根据权利要求2所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述排气通道位于所述承载件的一侧;
4.根据权利要求2或3所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述导气孔具有第一端口和第二端口,所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡油东,周伟,
申请(专利权)人:上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司,
类型:新型
国别省市:
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