物理气相沉积装置制造方法及图纸

技术编号:45740748 阅读:21 留言:0更新日期:2025-07-04 19:02
本技术提供了一种物理气相沉积装置,包括:腔体,具有进气通道和排气通道,所述进气通道和所述排气通道均与所述腔体导通;设于所述腔体内的承载件,所述承载件用于承载晶圆;设于所述腔体内的导流件,所述导流件环绕所述承载件设置,所述导流件开设有导流通道,所述导流通道与所述排气通道连通。本技术提供的物理气相沉积装置通过在腔体内设置导流件用于对腔体内气体进行导流,以使腔体内的气体能够均匀的被排出,从而提高晶圆表面镀膜的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体加工设备,尤其涉及一种物理气相沉积装置


技术介绍

1、薄膜沉积技术是一种将物质沉积在基底表面形成薄膜的工艺方法,常用于制备各种材料的薄膜,比如:通过薄膜沉积技术可以在晶圆上形成薄膜或涂层,用于提高晶圆的性能。

2、现有的腔体内,排气件的设置在静电吸盘的一侧,当通过排气件将反应气体排出时,会导致腔体内的气流分布不均匀,从而影响到晶圆表面镀膜的均匀性。


技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种物理气相沉积装置,解决了反应气体排出时反应腔体内部气流分布不均匀的问题,提高了晶圆表面镀膜的均匀性。

2、为实现上述目的,第一方面,本技术提供了一种物理气相沉积装置,包括:

3、腔体,具有进气通道和排气通道,所述进气通道和所述排气通道均与所述腔体导通;

4、设于所述腔体内的承载件,所述承载件用于承载晶圆;

5、设于所述腔体内的导流件,所述导流件环绕所述承载件设置,所述导流件开设有导流通道,所述导流通道与所述排气通道连通。>

6、本技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种物理气相沉积装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述导流件呈圆环形结构,所述导流件与所述承载件配合可将所述腔体分隔成反应腔和排气腔,所述导流件上开设有若干导气孔,所述导气孔贯穿所述导流件并与所述导流通道连通,以使所述反应腔和所述排气腔连通;

3.根据权利要求2所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述排气通道位于所述承载件的一侧;

4.根据权利要求2或3所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述导气孔具有第一端口和第二端口,所述第一端口和所述第二端口分别位于所述导气孔的两端;

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种物理气相沉积装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述导流件呈圆环形结构,所述导流件与所述承载件配合可将所述腔体分隔成反应腔和排气腔,所述导流件上开设有若干导气孔,所述导气孔贯穿所述导流件并与所述导流通道连通,以使所述反应腔和所述排气腔连通;

3.根据权利要求2所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述排气通道位于所述承载件的一侧;

4.根据权利要求2或3所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述导气孔具有第一端口和第二端口,所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡油东周伟
申请(专利权)人:上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1