本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，其包括形成有第一栅极结构的第一区及形成有第二栅极结构的第二区；形成第一图形化的掩模覆盖衬底、第一栅极结构及第二栅极结构，并暴露部分高度的第二栅极结构；执行蚀刻工艺去除第二栅极结构上部...

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供一基底，在基底的表面自下而上依次形成栅氧化层和栅极结构，栅极结构暴露出栅氧化层的周边区域；对栅氧化层两侧的基底刻蚀以形成沟槽；对周边区域执行离子注入形成防扩散区域...

本发明提供了一种金属焊盘结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供衬底，衬底中形成有金属线及覆盖金属线的层间介质层；在金属线上的层间介质层中形成第一开口暴露金属线的表面，且第一开口的底部设有分隔图形覆盖金属线的部分表面；形成第一焊盘层顺形...

本发明公开了一种改善键合互连层失效的键合结构及方法，键合结构包括：对应分设于两侧的介质键合表面上的金属键合结构，两侧的金属键合结构的表面上具有形成互补的多个凸出键合图形；位于键合界面两侧的金属键合结构上的凸出键合图形在预键合时处于相互补...

本申请涉及集成电路制造工艺领域，公开了一种晶圆对准处理方法、装置、电子设备和系统，方法包括：获得对准条件数据库；对准条件数据库包括满足预设考核条件的目标对准条件；判断利用目标对准条件对待对准晶圆进行对准是否满足预设对准条件；若满足预设对...

本发明提供一种CMOS器件及其制备方法，其中，CMOS器件包括：半导体衬底，半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，半导体衬底的表面形成有介质层，在NMOS区域上的介质层中形成第一栅极沟槽，在PMOS区域上的介质层中形成第二栅极沟槽；...

本发明公开了一种金属大马士革一体化刻蚀方法及芯片，应用于芯片制备技术领域，在基于等离子体刻蚀硬掩膜时，使用高于标准源射频功率的目标源射频功率，以及使用低于标准偏置射频功率的目标偏置射频功率对硬掩膜进行刻蚀，以使刻蚀硬掩膜所形成的刻蚀槽的...

本发明提供了一种曝光设备，包括晶圆装载腔室、过渡腔室、温度调节组件、搬运机构和曝光腔室；过渡腔室设于所述晶圆装载腔室和曝光腔室之间，并与晶圆装载腔室和曝光腔室连通；晶圆装载腔室内设有搬运机构，搬运机构可通过所述过渡腔室将所述晶圆装载腔室...

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括提供一基底，在基底的表面形成栅极结构；形成硬掩膜层，硬掩膜层覆盖栅极结构的侧壁及顶表面，对侧壁的底部表面覆盖的硬掩膜层进行刻蚀，以使得侧壁底部表面的硬掩膜层的厚度不大于侧壁其余部分表面的硬掩膜层...

本技术公开了一种炉管进气装置及炉管设备，包括：进气管，设于反应腔室内的一侧，所述进气管包括纵向设置并相连的第一进气支管和第二进气支管，所述第二进气支管的下端连接设于所述反应腔室上的进气口，所述第一进气支管的管壁上设有沿轴向排布并与所述反...

本技术公开了一种喷射管路清洁装置及干燥管路系统，包括：连接喷射管路的清洁单元，所述喷射管路用于将通入的干燥液通过喷射口向干燥单元内部喷射进行干燥处理工艺；所述清洁单元用于在停止向所述喷射管路通入所述干燥液时，向所述喷射管路通入冲洗液，对...

本技术涉及半导体制造技术领域，提供了一种温控固定装置及炉管设备，温控固定装置包括：密封组件、连接组件和温度控制器；所述温度控制器具有装配部，所述装配部上开设有凹槽；所述密封组件围绕所述装配部设置；所述连接组件与炉管连接，所述连接组件压于...

本申请涉及机台栅格校准领域，公开了机台水平向栅格校准方法、装置、套刻机和存储介质，方法应用于套刻机，包括获得机台利用水平向栅格校准掩模版进行曝光形成的单独的场图案；水平向栅格校准掩模版包括多个套刻标记；获得机台利用水平向栅格校准掩模版进...

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善气相薄膜沉积厚度稳定性的装置及方法，装置包括温度监测模块、控制模块及加热模块，温度监测模块及加热模块分别与控制模块通信连接；其中，加热模块，被配置为对进入反应器的反应原料进行加热并产生反应气...

本申请涉及半导体领域，公开了一种干法刻蚀设备及晶圆刻蚀方法，设备包括晶圆加热及承载基台，基环，聚焦环，导热环；所述基环围绕在所述晶圆加热及承载基台的周围；所述聚焦环设于所述基环上表面；所述导热环设于所述基环和所述聚焦环之间，且所述导热环...

本发明提供一种晶圆键合对位方法及装置，包括：提供垂向上布置的第一、第二载台、镜头和光源，镜头和光源位于第一、第二载台相互背离的两侧，光源和镜头安装于基架上，第一载台和第二载台均设置成具有能够透射光线的结构；第一载台承载第一晶圆，第二载台...

本发明涉及离子注入领域，特别是涉及一种新型离子注入机及其控制方法，包括离子发射源及机械臂；所述离子发射源用于发射离子注入束；所述机械臂包括静电夹及第一电荷检测器；所述静电夹与所述第一电荷检测器设置在所述机械臂朝向所述离子发射源的表面；所...

本申请提供了一种清洗腔用喷嘴角度调节装置及系统，涉及半导体工艺技术领域。该装置包括：底座、两个可移动的调节手臂；底座的两侧分别设有一个调节手臂；底座包括：基板、驱动单元和传动单元；调节手臂包括固定部和滑动套杆，固定部位于滑动套杆的一端，...

本申请涉及半导体集成电路制造工艺技术领域，公开了一种试剂瓶中试剂余量的监测方法、装置、设备、系统和介质，包括：获取通向试剂瓶中气体的气压；获取化学试剂流出所述试剂瓶时在管路中的流速；根据所述流速、化学试剂密度和所述管路的内壁对所述流速的...

本发明涉及一种二次刻蚀偏差的计算方法、二次刻蚀图案及其生产方法；所述二次刻蚀偏差的计算方法包括接收二次刻蚀图案；所述二次刻蚀图案包括经过同一次套刻得到的套刻校准图案及缺陷对照组；所述缺陷二次曝光图形为在一次曝光中形成的不透光缺陷经过二次...