【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及离子注入领域，特别是涉及一种新型离子注入机及其控制方法。
技术介绍
1、在大规模集成电路制造产业中，离子注入技术承担着改变晶圆的局部电性、改变晶圆表面特性和辅助其他工艺过程等重要任务，以其掺杂离子纯度高、掺杂剂量精准、掺杂离子在晶圆内部的分布特性便于控制、工艺重复性高、横向扩散少、加工温度低等特有优势，在如今特征尺寸不断缩小的半导体集成电路制造产业中，扮演着愈发重要的角色，尤其是超浅结的形成，要求离子在晶圆的表面具有更高的掺杂浓度和更浅的分布深度，并且要抑制离子的横向扩散，在离子注入技术中，通过控制注入离子的能量，可以控制晶圆中掺杂离子的富集深度，通过控制注入的整体剂量，可以控制晶圆中离子的掺杂浓度，能够满足传统的炉管热扩散掺杂技术无法实现的要求。
2、离子注入机通过一系列电场、磁场实现引出、加减速、筛选等操作，因此其作用对象是阳离子，束流中的阳离子不断注入到晶圆上，晶圆表面的正电荷不断积聚，会产生一系列不利影响，例如晶圆表面正电荷会排斥后续阳离子的注入、正电荷引起放电，损坏器件，产生大量表面缺陷等。为了防止这...
【技术保护点】
1.一种新型离子注入机，其特征在于，包括离子发射源及机械臂；
2.如权利要求1所述的新型离子注入机，其特征在于，所述机械臂上设置有多个所述第一电荷检测器；
3.如权利要求1所述的新型离子注入机，其特征在于，所述新型离子注入机包括束流轮廓仪；
4.如权利要求3所述的新型离子注入机，其特征在于，所述第二电荷检测器与所述法拉第杯在垂直于所述离子注入束的方向上的距离范围为3毫米至7毫米，包括端点值。
5.如权利要求1所述的新型离子注入机，其特征在于，包括工艺腔，所述机械臂设置于所述工艺腔中；
6.如权利要求1至5任一...
【技术特征摘要】
1.一种新型离子注入机，其特征在于，包括离子发射源及机械臂；
2.如权利要求1所述的新型离子注入机，其特征在于，所述机械臂上设置有多个所述第一电荷检测器；
3.如权利要求1所述的新型离子注入机，其特征在于，所述新型离子注入机包括束流轮廓仪；
4.如权利要求3所述的新型离子注入机，其特征在于，所述第二电荷检测器与所述法拉第杯在垂直于所述离子注入束的方向上的距离范围为3毫米至7毫米，包括端点值。
5.如权利要求1所述的新型离子注入机，其特征在于，包括工艺腔，所述机械臂设置于所述工艺腔中；
<...【专利技术属性】
技术研发人员：朱孟辉，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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