一种光学邻近修正方法、存储介质及终端，其中方法包括：提供具有若干目标图形的目标版图；形成若干辅助图形；对目标版图进行全局光学邻近修正，获取各个目标图形的全局修正图形；检测出边缘放置误差为正值且超出预设误差范围的目标图形的弱点边，并将对应...

本发明公开了一种控片回收系统和方法，在控片回收时，对控片进行分级参数的读取，并依据分级标准，对控片进行定级，以根据定级结果决定回收与否并执行；并且，对调用的定级结果中决定回收的控片，分配对应的清洗菜单，以对具有不同定级的控片执行不同模式...

本发明提供一种半导体器件及其形成方法，通过在PMOS区域的栅极结构上形成应力介质层，然后执行掺杂工艺在所述应力介质层中掺杂氮离子以形成掺杂应力介质层，掺杂应力介质层内的氮离子与氢结合使掺杂应力介质层内的氢处于非活性状态，因此，掺杂应力介...

本发明提供一种半导体器件硅通孔的形成方法及半导体器件，包括：提供衬底，在衬底上形成层间介质层，层间介质层包括交替层叠的扩散阻挡层和低介电常数材料层；刻蚀层间介质层并停止在衬底上以形成第一通孔；刻蚀各扩散阻挡层以形成横向沟槽；在第一通孔的...

本发明涉及半导体制造领域，提供了一种离子注入制程的监控方法，包括：S1：提供控片晶圆；S2：在所述控片晶圆上形成光阻图案，所述光阻图案暴露空白图形单元；S3：将离子注入到所述空白图形单元中；S4：除去所述控片晶圆上的所述光阻图案；S5：...

一种离子注入机注入角度的校验方法，包括：提供承托基片；在承托基片上形成若干反射区域；提供光学组件；基于反射区域和光学组件设置预设旋转角度；由离子注入机的靶台带动承托基片旋转；获取承托基片旋转预设旋转角度过程中光学组件产生的第一信号和第二...

本发明提供一种测试结构及测试方法，可以监控离子注入的光刻过程中是否有基脚缺陷的产生，通过监控测试结构内电性的漂移定位是否有基脚缺陷的问题，并可以进行基脚缺陷产生原因的解耦。

本技术涉及半导体制造技术领域，提供了一种晶圆传输检测治具，包括：治具本体；所述治具本体上具有检测通道，所述检测通道沿第一方向延伸且贯通开设于所述治具本体；所述检测通道具有平行设置的两个第一检测侧壁，两所述第一检测侧壁沿第二方向相对设置，...

本发明提供一种浅沟槽隔离结构和半导体器件的形成方法，在初始隔离层进行回刻蚀时，由于第二浅沟槽的宽度大于第一浅沟槽的宽度，且初始隔离层的横向刻蚀速率大于或者等于纵向刻蚀速率，并且由于第二浅沟槽中的初始隔离层的顶表面的最高处到硬掩膜层的顶表...

一种光学邻近修正方法、存储介质及终端，其中方法包括：提供若干目标图形；对若干目标图形进行全局光学邻近修正；检测出曝光间距尺寸小于预设间距尺寸的相邻曝光图形，并将对应的全局修正图形标为第一局部修正图形和第二局部修正图形；对第一局部修正图形...

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体栅极刻蚀方法，通过在栅极表面及衬底表面形成介质薄膜层；利用刻蚀机台对所述介质薄膜层进行等离子体刻蚀以形成栅极侧墙；所述等离子体刻蚀包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤；在所述等离子体刻蚀中，对所述刻蚀...

本申请提供一种设备维护方法，包括：获取跟踪信号，计算每个跟踪信号的统计特征；将统计特征分为组件更换前特征和组件更换后特征；利用费希尔准则对组件更换前特征和组件更换后特征进行排序，确定特征相同的特征子集；根据特征子集建立健康模型；代入跟踪...

本发明提供一种半导体样品的制备方法及分析方法，通过先形成覆盖目标区域的保护层，然后对具有保护层的目标区域进行裂片，并在裂片过程中以预定时间向保护层的表面通入冷却物质，以形成包括目标区域的光阻样品，光阻样品暴露出目标位置的断面。其中，通过...

本发明提供了一种基于TEM机台对芯片样品进行失效分析的方法，在第二次减薄处理时调整FIB机台的加工参数，相对减小FIB机台的聚焦离子束刻蚀电流和减小第二次减薄处理的持续时间，将所述FIB机台的聚焦离子束刻蚀电流调整至小于或等于12pA，...

本发明提供一种半导体器件的制造方法，第三介质层、所述第二介质层和所述第一介质层中具有通孔，通过以图形化的光刻胶层为掩模，对图形化的光刻胶层中暴露出的第三介质层进行刻蚀以形成第一沟槽，第一沟槽的下部与第一沟槽的上部的交界处呈台阶状且第一沟...

本发明涉及半导体微影领域，特别是涉及一种光栅测试机台及光栅测试方法，包括移动工件台、自由度测量组件、机台测试表面及信号处理端；所述移动工件台设置于所述机台测试表面，包括测试读头；待测光栅设置于所述机台测试表面上方，与所述测试读头相对；所...

本发明提供了一种MOS器件的制备方法，其中首先提供一衬底，在衬底的一侧形成了栅极氧化层，然后采用了去耦等离子体注入的方法在衬底与栅极氧化层之间注入了氘等离子体或氟等离子体，最后进行退火处理，使得氘等离子体或氟等离子体与衬底和栅极氧化层之...

本发明提供了一种检测芯片及其制备方法，所述检测芯片包括：衬底，具有检测区及围绕检测区的引出区；隔离层，覆盖衬底的表面；导电结构层，位于隔离层上，包括设于检测区上若干交错连通的导电沟道，及设于引出区上与导电沟道连接的两个引出电极，相邻导电...

本发明提供一种半导体器件及其形成方法、检测方法，通过先执行化学机械研磨工艺获得预定厚度的第一介质层，然后，在化学机械研磨工艺之后进行刻蚀工艺和修边工艺以获得修边台阶，避免了现有技术中先进行刻蚀工艺和修边工艺，再进行化学机械研磨工艺，晶圆...

本发明提供了一种透射电镜样品的制备方法，所述制备方法包括：提供芯片，其上具有至少两个近距离失效点；从芯片提取出包括至少两个近距离失效点的中间样品，并转移至第一载网，中间样品上的近距离失效点依次远离第一载网；采用离子束对中间样品的背面进行...