一种激光退火装置及激光退火功率的校准方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及晶圆退火领域，特别是涉及一种激光退火装置及激光退火功率的校准方法，包括激光头、扫描运动组件及工艺腔室；所述激光头固定于所述扫描运动组件上，所述扫描运动组件带动所述激光头移动，完成对待退火晶圆的退火；所述工艺腔室包括透光窗口、工件台及功率计量组件；所述透光窗口用于透射所述激光头的退火激光；所述工件台用于放置所述待退火晶圆；所述功率计量组件能设置于与所述工件台的上表面等高的工作平面上，且用于记录所述工作平面上各个位置通过所述退火激光得到的实际接收功率。本发明专利技术通过在所述功率计量组件上预演退火过程，保证所述待退火晶圆上各个位置实际收到的退火加热功率与理论设计中一致，提升退火质量与成品良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆退火领域，特别是涉及一种激光退火装置及激光退火功率的校准方法。

技术介绍

1、在大规模集成电路制造产业中，沿着摩尔定律的不断发展，半导体器件关键尺寸不断缩小，这对高温热退火的热预算、激活效率以及控制能力等提出了更高的要求，因此，随着半导体制程的更加先进，激光退火工艺扮演的重要角色也日益凸显，其应用有半导体器件的超浅结形成、源漏极退火，金属化形成欧姆接触，降低接触电阻、为芯片内部器件互联退火以及在3d结构中形成结晶层并实现杂质激活等。不论是激光尖峰退火(lsa，laserspike anneal)还是动态表面退火(dsa，dynamic surface anneal)，都是通过聚焦激光照射于晶圆(wafer)表面，使其吸收激光能量升温从而实现退火效果。

2、在dsa设备中，激光头(laser head)位于工艺腔室的外部，而激光头的运动路径可覆盖整个待退火晶圆表面。工艺腔室是一个密封结构，由石英窗口(quartz window)将其与外界隔开，晶圆被吸附在工艺腔室内部的工件台(wafer stage)上，为优化退火效果以及防止热本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激光退火装置，其特征在于，包括激光头、扫描运动组件及工艺腔室；

2.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，所述扫描运动组件为龙门架；

3.如权利要求2所述的激光退火装置，其特征在于，所述功率计量组件为条状功率计，所述条状功率计安装在所述工艺腔室内壁的轨道上；

4.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，还包括距离传感器；

5.一种激光退火功率的校准方法，其特征在于，所述激光退火功率的校准方法通过如权利要求1至4任一项所述的激光退火装置实施，包括：

6.如权利要求5所述的激光退火功率的校准方法，其特征在于，所述根...

【技术特征摘要】

1.一种激光退火装置，其特征在于，包括激光头、扫描运动组件及工艺腔室；

2.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，所述扫描运动组件为龙门架；

3.如权利要求2所述的激光退火装置，其特征在于，所述功率计量组件为条状功率计，所述条状功率计安装在所述工艺腔室内壁的轨道上；

4.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，还包括距离传感器；

5.一种激光退火功率的校准方法，其特征在于，所述激光退火功率的校准方法通过如权利要求1至4任一项所述的激光退火装置实施，包括：

6.如权利要求5所述的激光退火功率的校准方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱孟辉，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：