【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、电容是一种常规的无源元件，广泛应用于半导体器件中。在一些特殊应用中，需要使用单位容值很大的电容器来提升产品性能，如存储信号、降噪、降耦等。平面电容器需要占用很大面积才能获得大电容，这样会牺牲设计面积。为此，沟槽电容成为大电容的最佳选择。
2、在相关技术中，通常采用向上电性引出半导体器件中电容的电极，并需要金属填充满其沟槽，导致电性引出沟槽电容的结构及工艺较为繁琐，并不利于半导体器件中电容的设计。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，用以优化沟槽电容的结构及制造工艺。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的半导体器件的制造方法，包括：
3、提供衬底，所述衬底中形成有同层排布的第一金属线、第二金属线及覆盖所述第一金属线和所述第二金属线的绝缘层；
4、在所述第一金属线与所述第二金属线之间的绝缘层中形成若干沟槽；
5、形成第...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一金属线与所述第二金属线之间的绝缘层上设有电容区域，若干所述沟槽形成于所述电容区域内，形成所述第一电极的步骤包括；
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一介质层及所述第二电极的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成若干所述通孔的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述第三金属线及所述第四金属线的步骤包括：
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一金属线与所述第二金属线之间的绝缘层上设有电容区域，若干所述沟槽形成于所述电容区域内，形成所述第一电极的步骤包括；
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一介质层及所述第二电极的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成若干所述通孔的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述第三金属线及所述第四金属线的步骤包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器...
【专利技术属性】
技术研发人员：林宏，傅振轩，陈武佳，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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