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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，衬底中形成第一金属线、第二金属线及绝缘层；在绝缘层中形成若干沟槽；形成第一电极至少覆盖沟槽及沟槽周边的绝缘层；形成第一介质层及第二电极保形地覆盖沟槽及沟槽周边的第一电极，并...
该专利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司授权不得商用。

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