【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，特别涉及一种沟槽电容器及其制造方法。
技术介绍
1、电容器是一种常规的无源元件，广泛应用于集成电路领域。在一些特殊应用中，需要使用单位容值很大的电容器来提升产品性能，如存储信号、降噪、降耦等。平面电容器需要占用很大面积才能获得大电容，这样会牺牲设计面积。为此，沟槽电容器成为大电容的最佳选择。
2、现有的沟槽电容器，不仅其容值密度还可进一步提高，而且其制造工艺也还可进一步优化。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种沟槽电容器及其制造方法，用以提高其容值密度并优化其制造工艺。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的沟槽电容器的制造方法，包括：
3、提供衬底，所述衬底中形成有同层排布的第一至第三金属线及覆盖所述第一至第三金属线的绝缘层；
4、在所述绝缘层中形成第一沟槽暴露所述第一金属线、第二沟槽暴露所述第二金属线及第三沟槽暴露所述第三金属线；
5、在所述第一沟槽及其周边的绝缘层上形成单层电容及在所...
【技术保护点】
1.一种沟槽电容器的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽电容器的制造方法，其特征在于，所述第一至第三金属线与所述绝缘层之间还设有介质阻挡层。
3.根据权利要求1所述的沟槽电容器的制造方法，其特征在于，所述绝缘层包括位于所述第一金属线上方的第一区域、位于所述第二金属线上方的第二区域及位于所述第三金属线上方的第三区域，所述第一区域设有所述第一沟槽，所述第二区域设有所述第二沟槽，所述第三区域设有所述第三沟槽，形成所述单层电容及所述双层电容的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的沟槽电容器的制造方法，其特征在于，所述绝缘...
【技术特征摘要】
1.一种沟槽电容器的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽电容器的制造方法，其特征在于，所述第一至第三金属线与所述绝缘层之间还设有介质阻挡层。
3.根据权利要求1所述的沟槽电容器的制造方法，其特征在于，所述绝缘层包括位于所述第一金属线上方的第一区域、位于所述第二金属线上方的第二区域及位于所述第三金属线上方的第三区域，所述第一区域设有所述第一沟槽，所述第二区域设有所述第二沟槽，所述第三区域设有所述第三沟槽，形成所述单层电容及所述双层电容的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的沟槽电容器的制造方法，其特征在于，所述绝缘层包括位于所述第一金属线上方的第一区域、位于所述第二金属线上方的第二区域及位于所述第三金属线上方的第三区域，所述第一区域设有所述第一沟槽，所述第二区域设有所述第二沟槽，所述第三区域设有所述第三沟槽，形成所述单层电容及所述双层电容的步骤包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：林宏，蔡巧明，赵文远，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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