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本发明提供了一种沟槽电容器及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；形成第一沟槽暴露第一金属线、第二沟槽暴露第二金属线及第三沟槽暴露第三金属线；在第一沟槽中形成单层电容及在第二沟槽中形成双层电容，双层电容包括第一电极、第一介质层、第二电极、...
该专利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司授权不得商用。

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